Sensor De Proximidad Por Infrarrojos
Páginas: 4 (897 palabras)
Publicado: 13 de junio de 2012
SENSOR DE PROXIMIDAD POR INFRARROJOS
El objetivo es construir un circuito detector de infrarrojo de proximidad que al acercarse algún objeto entre el receptor y el emisor se active un alarma.Los materiales usados en ese diseño son:
2 resistencias de 330 homs
2 resistencias de 1k homs
1 resistencia de 100 homs
1 led verde
1 led infrarrojo (emisor)
1 fototransistor (receptor)
1transistor 2N2222A
1 circuito integrado D74LS04P
1 buzzer (alarma)
1 ventilador
1 fuente de 5 V
LED INFRARROJO
Un led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz, solo que esta luz no esvisible al ojo humano.
Como sabemos, un diodo es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por éluna corriente eléctrica.
El led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz infrarroja, IRED (Infra-Red Emitting Diode), y el hecho de que este tipo de señal no se pueda ver a simple vista es porquela longitud de onda de los rayos infrarrojos es muy pequeña (850-900 nm), es por eso que la señal infrarroja se puede ver interrumpida por casi cualquier cosa, como una puerta, una persona, una hojade papel.
El led infrarrojo se puede encontrar en casi todos los aparatos eléctricos inalambricos de una casa, como en el control de la television, dvd, estereo, y cualquier aparato que utilicecontrol remoto.
FOTOTRANSISTOR
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Estacarga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistorcomún, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en...
El objetivo es construir un circuito detector de infrarrojo de proximidad que al acercarse algún objeto entre el receptor y el emisor se active un alarma.Los materiales usados en ese diseño son:
2 resistencias de 330 homs
2 resistencias de 1k homs
1 resistencia de 100 homs
1 led verde
1 led infrarrojo (emisor)
1 fototransistor (receptor)
1transistor 2N2222A
1 circuito integrado D74LS04P
1 buzzer (alarma)
1 ventilador
1 fuente de 5 V
LED INFRARROJO
Un led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz, solo que esta luz no esvisible al ojo humano.
Como sabemos, un diodo es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por éluna corriente eléctrica.
El led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz infrarroja, IRED (Infra-Red Emitting Diode), y el hecho de que este tipo de señal no se pueda ver a simple vista es porquela longitud de onda de los rayos infrarrojos es muy pequeña (850-900 nm), es por eso que la señal infrarroja se puede ver interrumpida por casi cualquier cosa, como una puerta, una persona, una hojade papel.
El led infrarrojo se puede encontrar en casi todos los aparatos eléctricos inalambricos de una casa, como en el control de la television, dvd, estereo, y cualquier aparato que utilicecontrol remoto.
FOTOTRANSISTOR
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Estacarga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistorcomún, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en...
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