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Transistor unijuntura (UJT)
Las características que presenta el UJT lo hace de gran utilidad en muchos circuitos de aplicación industrial, incluyendo timers, osciladores, generadores de onda, y lo más importante, en circuitos de disparo para SCRs y TRIACs.
El UJT es un dispositivo de una sola unión, con dos regiones contaminadas y tres terminales externos. Tiene un sólo emisor y dos bases. Larepresentación física y circuital del UJT es mostrada en la figura 1.

Figura 1. UJT: representación física y circuital
El emisor está fuertemente dopado, mientras que la región de bases posee una ligera contaminación, lo cual hace que bajo determinadas condiciones, presente una región de resistencia negativa, ofreciendo dos estados de funcionamiento bien definidos, correspondientes a bloqueo ya conducción.
Para entender mejor el funcionamiento del dispositivo, es necesario recurrir a su equivalente circuital, el cual es mostrado en la figura 2.

Figura 2. Equivalente circuital
Rb1 y Rb2 constituyen la resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la resistencia total:
Rbb = Rb1 + Rb2, con Rb1 ( Rb2
Rbb es denominada resistencia interbase, y es la resistencia óhmica quepresentan los terminales B1 y B2 cuando no hay corriente de emisor. En términos generales esta varía entre 5 k( y 10 k(.
El diodo D es el equivalente a la juntura entre el emisor y la base, presentando un voltaje umbral que varía entre .4 voltios y .7 voltios.
Si la tensión aplicada al dispositivo es Vbb, sobre la resistencia Rb1, es decir en el punto A, aparece un voltaje dado por:
Va = Vbb Rb1/Rbb =n Vbb
siendo n = Rb1/(Rb1 + Rb2)
n es conocido como factor intrínseco, teniendo una variación comprendida entre .5 y .8, lo cual significa que Rb1 puede ser igual o hasta cuatro veces el valor de Rb2.
La tensión Va es conocida también como voltaje intrínseco y es la que mantiene inversamente polarizado al diodo emisor cuando no hay señal a la entrada.

Al aplicar una tensión Ve en el emisor,el transistor permanece bloqueado hasta tanto no se alcance el voltaje pico Vp, el cual está dado por la siguiente expresión:
Vp = Vd + Va = Vd + n Vbb
Cuando el diodo de emisor entra en conducción, debido a que la región p está fuertemente contaminada y la n no, se inyectan huecos a esta parte inferior. La ligera contaminación de esta región proporciona un tiempo de vida largo para estoshuecos, produciéndose así una trayectoria de conducción entre emisor y base B1. Cuando fluye esta corriente, es claro que la resistencia Rb1 disminuye debido al efecto de modulaciónde conductividad. Al disminuir esta resistencia, la tensión Va también disminuye, con lo cual se obtiene una mayor inyección de corriente de emisor. Debido a la disminución de tensión y aumento de corriente se presenta unaregión de resistencia negativa, alcanzando valores de hasta 100 k( para bajos niveles de corriente.
En la figura 3 se muestra la curva característica del UJT.

Figura 3. Curva Característica del UJT
Cuando los niveles de voltaje aplicados al emisor son menores que Vp, el diodo D está inversamente polarizado, con lo cual circula una pequeña corriente inversa de juntura. Cuando la tensión Ve sehace igual a Vp, el diodo entra en conducción iniciándose aquí la trayectoria en la curva de la región de resistencia negativa y circulando una pequeña corriente Ip.
Debido al fenómeno de modulación de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje disminuye hasta que finalmente se llega a un valor de saturación, en el cual la resistencia Rb1 se hace constante en el valor Rs(aproximadamente 5 ( - 30 (), con valores bajos de tensión y niveles altos de corriente, terminando aquí la región de resistencia negativa y empezando la de saturación.
Sobre la característica tensión-corriente se destacan tres zonas de trabajo y funcionamiento:
- Región de bloqueo: el diodo está inversamente polarizado, la corriente Ie es menor que el valor de Ip.
- Región de resistencia...