Tarea Electronica

OBJETIVO: El alumno armará los circuitos que permitan obtener las características eléctricas del diodo de Si (silicio), como voltaje, corriente, resistencia interna y potencia de consumo, einterpretará las mediciones realizadas con el multímetro y/u osciloscopio. También reportará los resultados medidos en tablas y/o gráficas según lo indique el desarrollo.
TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO AREALIZAR LA PRÁCTICA
Investigar las características de funcionamiento y limitaciones del diodo de silicio (Si), en CA.
Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de operación,en un dispositivo semiconductor en CA.
Investigar que es y cómo se calculan la resistencia estática y dinámica, en un dispositivo semiconductor en CA.
Investigar que es y cómo se calculan la potenciapromedio y eficaz, en un dispositivo semiconductor en CA.
Realizar la simulación de los circuitos para obtener las características eléctricas del diodo de (Si) en CA.
Traer hojas deespecificaciones del diodo de (Si), que se empleará en la práctica.
Traer los circuitos armados.
LISTA DE MATERIAL: (anotar el material utilizado en la práctica)

DESARROLLO:
1. Proponer el dispositivo (diodosde Si comercial y valores de resistencias comerciales) que se deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de especificaciones del diodo (de Si) que se utilizará para el desarrollo de lapráctica. Preferentemente que los diodos y resistencias sean de I/2W ó más Watts. Empleando el diodo de Si, armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las mediciones deldispositivo, como se indica en la tabla. Seleccionar la señal senoidal del generador (VS), e ir variando la amplitud desde la mínima a la máxima con una frecuencia no menor a 60Hz y no mayor a 1KHz. Observa lagráfica tanto en base de tiempo como en graficador XY.
1.1 Dibujar en papel milimétrico, las gráficas observadas en el osciloscopio. VD vs t, VR vs t y ID vs VD colocando en cada una de las...