TRANSISTOR_BJT_EMISOR_COMUN_HIBRIDO

1.2.2 Amplificador en Emisor Común
El amplificador en Emisor Común se caracteriza por amplificar la señal, tanto en voltaje como en
corriente, además el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de entrada
y de salida son altas.

El circuito equivalente de Corriente continua es:

Circuito equivalente de corriente alterna

RB

R´ L__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

donde

R B = R1 || R2
R L' = RC || R L

Si Vs es una señal pequeña entonces el transistor opera en forma lineal y para efectos de análisis el
transistor tiene un circuito lineal equivalente llamado circuito en parámetros “h”.

Modelo de señal pequeña del BJT para laconfiguración en Emisor Común

Modelo del BJT en parámetros “h” (configuración en Emisor Común)

Significado de los parametros “h”

vbe = hieib + hre vce

ic = h feib + hoe vce

__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

Estos parámetros “h” reciben su nombre a partir de las siguientescondiciones
A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

∴

vbe = ( hie )ib

ic = (h fe )ib
por lo que:

hie =

vbe
ib VCEQ

h fe =

vce =0

ic
ib VCEQ

vce = 0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.
i = input.
e = emisor común.

h fe

= Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.
f = forward - directo
e =emisor común

B).- Circuito abierto en la entrada ( ib = 0 )∴

vbe = hre (vce )
ic = hoe (vce )

por lo que:

v
hre = be
vce IBQ

ib =0

hoe =

ic
vce IBQ

ib =0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.
r = reverse
e = emisor común
__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

hoe = Admitancia de salida con la salidaabierta.
o = output
e = emisor común.
Determinación de los parámetros “h”
De las curvas de entrada pueden ser determinados gráficamente los parámetros hie y hre

∆VCE = 19V

ib

ib

VCE = 1V

VCE = 20V

∆iB

vBE
∆VBE

hie =

vbe ∆vBE
=
ib
∆ib

=
∆VBE =0
VCEQ

∂vBE
∂iB

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinámica del diodo B-E

hie =

VT
V
V
= T = h fe T
I CQ I CQ
I CQ
h fe

∆VCEib
I BQ

∆VBE

vBE

__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeño, su valor se encuentra en el rango de
1x10-4 a 3x10-4, y para efectos prácticos puede considerarse cero

hre =

vbe ∆vBE
=
vce ∆vCE

=
∆VBE =0
I CQ

∂vBE
∂vCE

Losparámetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas

h fe =

ic ∆ic
=
ib ∆iB

hoe =

ic
∆i
= C
vce ∆vCE

=
∆ic →0
VCEQ

∂iC
∂iB
=

∆iC →0
I CQ

∂iC
∂vCE

Se observa que el valor de hoe es muy pequeño, un valor típico es de aproximadamente de 100 m
siemens y para fines prácticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita.
Modelo delAmplificador en Emisor Común incluyendo el modelo de señal pequeña del transistor

__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fácilmente mediante observación del circuito:
Z i = RB || hie

y

Z o = Rc

La ganancia de voltaje puedeobtenerse a partir de la multiplicación de los siguientes factores

AV =

vL vL vce vbe
=
vs vce vbe vs

vL
=1
vCE
vce = − ⎣⎡ h feib ⎦⎤ ⎡⎣ Rc RL ⎤⎦
vbe = hieib
R R
vce
= − h fe C L
vbe
hie

RB hie
vbe
=
vs RB hie + rs
Av =

RC R L
RB hie
VL
.
= −h fe
VS
hie
RB hie + rs

Ai =

i L i L ib
= .
i S ib i s

− RC
iL
=
h fe
i S RC + R L
ib
RB
=
i S RB + rs

Ai =

iL
− RC
RB
=
h fe
iS RC + RL
RB + hie...