transistores en DC

Indice


Tabla de contenido Págs.

Introducción General………………………………………………………………………….3

Experiencia #1: Reconocimiento del Transistor de Unión Bipolar (BJT)……………… 4

Experiencia #2: Polarización del transistor BJT…………………………………………. 12

Experiencia #3: Transistor como conmutador (Biestable)……………………………… 16Experiencia #4: Multivibrador Aestable y Monoestable..................................................18

Referencia Bibliográfica……………………………………………………………………... 21









Introducción General

Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que tienen una base o capa central mucho más delgada que las otras dos. Las dos capas externas son de materialtipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesta. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuesto polarizado. Este dispositivo electrónico es excitado con corriente y dependiendo de su configuración puede estar en región activa, en saturación o en corte. La acción amplificadora básica del transistor, consiste entransferir la corriente de un circuito de baja resistencia a uno de alta.

El transistor está compuesto de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p (transistor de tipo npn), o de dos capas de material tipo p una de material tipo n (transistor de tipo pnp). La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector solo un poco dopado.

Para sufuncionamiento, el transistor debe estar debidamente polarizado, es decir, debemos garantizar que la unión p-n del transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa. Así mismo la corriente directa en el emisor es siempre la corriente mas grande, en tanto que la corriente de la base es la más pequeña.








Experiencia #1: Reconocimiento del Transistor de UniónBipolar (BJT)

Objetivos:
Identificar los terminales y conexiones de los transistores BJT, NPN y PNP.
Analizar el comportamiento de las corrientes de base y colector.

Procedimiento:
En primer lugar se procedió a observar con detenimiento el modelo del transistor, y cada una de las conexiones correspondientes al colector, la base y el emisor, con la ayuda del multímetro digital; Acontinuación una imagen con algunos modelos de transistores:





Levantamiento de la curva característica del BJT

Emisor común








1) Montar el circuito mostrado en la figura.
2) Establecer un nivel de corriente de base constante, para ello se debe fijar un valor de VBB, luego se mide el voltaje en la resistencia RB y de esa forma obtener el valor de la corriente de base, esdecir:

3) Manteniendo fijo Ib (Sin varia VBB) medir con el voltímetro el voltaje colector-emisor (Vce) y el voltaje en la resistencia RC para fijar un valor de Ic.

4) Variando el valor de la fuente Vcc de 0-30V, repetir el paso 3 y anotar estos valores en una tabla de datos.

5) Repetir los pasos 2 y 3, pero variando la corriente de base; se recomienda fijar valores de 25µA y 35 µATablas de datos






















Curva característica en emisor común












Base común






1) Montar el circuito en la figura

2) Colocar un valor fijo de corriente de emisor, Ie = VRe / Re

3) Medir el Voltaje Emisor – Base.

4) Sin variar V1, ajustar V2 para fijar un valor de corriente de colector, Ic = Vcc / Rc y luego medir el voltajeColector – Base.

5) Repetir los pasos anteriores para obtener una familia de curvas.

Tablas de datos





















Curva característica en base común











Curva característica en emisor común con especificaciones de las zonas importantes











Curva característica en base común con especificaciones de las zonas importantes...