Tristores

DIAC
Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas y dos
terminales, que conduce corriente en una u otra
dirección cuando se activa.

La conducciónocurre en un DIAC cuando se alcanza el
voltaje de ruptura con una u otra polaridad a través
de las dos terminales.

TRIAC
Un TRIAC es como un DIAC con unaterminal
compuerta.
Un TRIAC puede ser disparado por un pulso de
corriente en la compuerta y no requiere voltaje de
ruptura para iniciar la conducion, como eldiac.
A diferencia del SCR, el TRIAC puede conducir
corriente en una y otra direccion cuando esta
activado, según la polaridad del voltaje a traves de
susterminales A1 y A2.

EL IGBT
El IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada) combina las características tanto del
MOSFET como del BJT que lo hacen útil enaplicaciones de conmutación de alto
voltaje y alta corriente. El IGBT ha reemplazado en gran medida al MOSFET y al BJT
en muchas de estas aplicaciones.

ElIGBT es un dispositivo que tiene las características de conducción de salida de un
BJT pero es controlado por voltaje como un MOSFET, y constituye una excelenteopción para aplicaciones de conmutación de alto voltaje. El IGBT tiene tres
terminales: la compuerta, el colector y el emisor.
El voltaje de compuertacontrola el IGBT exactamente como un MOSFET. En esencia,
un IGBT puede ser considerado como un BJT controlado por voltaje, pero con
velocidades de conmutación másrápidas. Debido a que es controlado por voltaje
en la compuerta aislada, el IGBT en esencia no tiene corriente de entrada y no
carga la fuente de excitación.