Amplificador Multtietapas

Abstract— Presently article is described as designing an amplifier with several stages, it finishes it of them an amplifier of power for audio. These concepts are applied in the design and construction of an amplifier for audio. To use components basic and not to make use of any integrated circuit it can be considered as a good amplifier didactic where the foundations are visualized basic of theamplification of audi,

INTRODUCCION
Se quiere diseñar un circuito multietapa para amplificar sonido, para esto tenemos que hacer varias etapas una de ellas será la etapa de potencia, q se ara con un amplificador clase AB cuasicomplementario y otras dos etapas una con un BJT en emisor común y otra mas con un JFET en Source común

I. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

Se debe diseñar unAmplificador con varias etapas que tenga una potencia de salida de 10W y trabaje con una RL=4Ω.

II. OBJETIVOS

Objetivo general

* Aplicar toda la teoría vista en el semestre para lograr hacer un amplificador con ciertas características como lo son la ganancia en voltaje, en potencia etc.
Objetivos específicos

III. MARCO TEORICO
Amplificadores con BJT y JFET
Tenemos quetener en cuenta como se polarizan y como es la configuración de los amplificadores con BJT y JFET los cuales ya hemos visto en anteriores laboratorios.
Amplificadores de potencia clase AB:
Este tipo de amplificadores funcionan básicamente como los amplificadores en clase B, excepto en el que se inyecta una pequeña corriente de polarización para que ya estén conduciendo previamente a la llegada dela señal. No se diseñan en clase A. Se diseñan casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsión de cruce.
La principal dificultad es conseguir la estabilidad del punto de funcionamiento. Se debe garantizar que los transistores no entrarán en corte. La mejor solución es recurrir al espejo de corriente.
El espejo de corriente se basa en laconexión en paralelo de dos diodos iguales. Si son iguales y tienen la misma curva característica, por los dos diodos circula la misma corriente puesto que los puntos de funcionamiento son idénticos.
Para una misma tensión ánodo-cátodo en los dos diodos se tiene una misma corriente en cada uno de ellos.
Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensión enextremos del diodo y la tensión entre base y emisor. En el siguiente esquema, la corriente que circula por el diodo es la misma que circula por la unión base emisor. Es decir:
Si la corriente Io que circula por la resistencia R permite despreciar la que se deriva por la base, la corriente que circule por el diodo será prácticamente Io. Esto se puede considerar si se cumple:
Io>10Ib
La corriente decolector es:
IC=Vcc-0.7R

Para evitar problemas térmicos se coloca en serie con el emisor una resistencia de potencia de 0.47 W
Estos conceptos se emplean en el diseño del siguiente amplificador de potencia en clase AB:

El transistor Q1 polarizado por R1 y R2 se comporta como una fuente de corriente:

La corriente Ic en régimen estático es constante. La corriente por los diodos D1 y D2también lo es. La polarización de los transistores queda garantizada al estar los diodos en paralelo con las uniones base emisor.
Para alterna, los diodos se comportan como una resistencia dinámica por estar polarizados en el primer cuadrante. Las bases para alterna están unidas. Para minimizar las diferencias puede conectarse entre ambas un condensador.
IV. DISEÑO
La etapa que primerovamos a diseñar es la de potencia con un amplificador clase AB.
Las características de estta etapa son las siguientes:
* Impedancia de carga 4Ω
* Potencia sobre la carga 10W
* Parámetros Tip31 Tip32
* VCC=20V
Con los datos suministrados podemos hacer los siguientes cálculos:
Vp(max)=Vcc – VCE(SAT)
VCE(SAT)=1.2

Vp(max) =18.8V
Ip(max) = Vp(max)RL
Ip(max) = 4.7A

Ps=...