amplificadores sintonizados

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

LABORATORIO Nº 01 DE CIRCUITOS DE RADIOCOMUNICACION
Tema:
CIRCUITOS AMPLIFICADORES SINTONIZADOS DE REDES SELECTIVAS
Profesor:
Ing. Figueroa Santos, Luis Leoncio
Alumno:
Risco Carrero Henreli

090603b

Grupo Horario:
90-G
CIRCUITOS AMPLIFICADORESSINTONIZADOS DE REDES SELECTIVAS

1. MARCO TEORICO
CIRCUITOS SINTONIZADOS Y TRANSFORMADORES DE REDES SELECTIVAS
 Circuitos Sintonizados.- Son circuitos formados por elementos reactivos,
inductancias, condensadores, líneas de energía, cristales piezoeléctricos, etc. y se
utilizan en los receptores y trasmisores. Una aplicación típica es en las etapas de
radiofrecuencia de amplificación donde sequiere que el circuito amplifique
solamente una banda de frecuencias. A las inductancias y condensadores están
asociadas resistencias que se deben a la resistencia óhmicas en las bobinas y
pérdidas dieléctricas en los condensadores que se hacen más evidentes a altas
frecuencias. Podemos modelarlos suponiendo que son elementos ideales,
reactivos puros, con una resistencia que podemos asociar enparalelo, en serie o
en ambos. Por ejemplo:

Es interesante relacionar las pérdidas óhmicas y la energía que almacena como
elemento reactivo, lo que nos permite medir la bondad del componente. El factor
de mérito o Q se define como:

LS
En el caso a) R S

1
b) C S R S

RP
c) L  d)
P

R PCP

12 LI   L
Q
Por ejemplo en el caso a)  2 1
 2 RI 2  R y de forma similar enlos otros
casos.
2

m

2

m

Si trabajamos a una frecuencia fija podemos hallar una relación entre los valores
de los ejemplos vistos. Llamamos X a la reactancia de una inductancia o

R P jX P
R X  jX P R P
 P P2
2
R P  jX P
R P  XP
2

R S  jX S 

2

condensador,
Podemos definir también entonces:
X S  LS 
ó
XS  

QS 

X P  LP 

XS
RS

QP 

ó1
CS 

XP  

RP
XP

1
C P

Separando parte real e imaginaria tenemos:

De 1, 2 y 3



R P  R S 1  QS

2




1 
X P  X S 1  2 
 Q 
S 


Vemos que si la componente es de buena calidad, o sea que Q es mayor que 10
(en el caso de condensadores suele ser mucho mayor), entonces
X P  XS y

R P  R SQS

2

Vemos que la componente reactiva nocambia casi su valor al cambiar la
configuración (de serie a paralelo o viceversa) y el valor de la resistencia de
pérdidas paralelo es mucho mayor que la resistencia serie, Q2 veces.
 El Circuito Resonante.1) Circuito L, C y R resonante Paralelo:
Suponemos que L y C son ideales (sus pérdidas podemos transferirlas a R)

Si introduzco

2
LC 0  1 , C0 

en resonancia en la frecuencia1
y entonces Z = R, se dice que el circuito está
L0

f  f0  0
2

C0 R  Q


 R

 L  Q 
 0


Z
1


R

R 1  C Rj

j
0
0 L0 0

Donde Q es el factor de mérito del circuito relativo a R a la frecuencia
Z

R

1

  0 
1  j
    Q

 0

 0


0




1
1  jQ

Si los apartamientos de la frecuencia deresonancia son pequeños, o sea
entonces

Recibe el nombre de “Ancho de Banda Relativo”, B es el “ancho de banda de
potencia mitad”.

10 log 10

P0
 10 log 10 2  3dB
P1

0
Es decir que cuando B 
la potencia cae en 3dB y la tensión en
Q
extremos de la banda.

2 en los

Es interesante ver la variación de fase entre la corriente y tensión: en resonancia
es 0, 45 grados en los puntosde potencia mitad y +/- 90 para extremos alejados
de la resonancia. A baja frecuencia predomina la baja impedancia de la
inductancia y a alta frecuencia la del condensador. .

Ejemplo de una red que forma parte de un amplificador de RF.

2. EXPERIMENTO
2.1.

Diseño

Circuito del experimento
2.2.

Equipos y Materiales

BJT ( NPN)

10 resistencias de 1/2 W: 2x22Ω, 2x100Ω,...