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3.2 Circuito de polarización fija.
 El circuito de polarización fija de la figura 4.2 proporciona una introducción relativamente directa y simple al análisis de polarización de cd de transistor. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y cálculos se aplican en forma correcta por igual a una configuración pnp con sólo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades devoltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las direcciones de corriente reales, y los voltajes se definen por la notación estándar de subíndice doble. Para el análisis de cd la red puede aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por un circuito abierto equivalente. Además, la fuente de cd VCC puede dividirse en un par de fuentes (para propósitos delanálisis solamente), como se ilustra en la figura 4.3, para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida. Esto reduce también el enlace entre las dos a la corriente de base IB. La separación es ciertamente válida, como observamos en la figura 4.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y RC del mismo modo,que en la figura 4.2.

Figura 4.2 Circuito de polarización fija.
 

 
 INCONVENIENTES DE LA POLARIZACIÓN FIJA
4 CAMBIO DE UN TRANSISTOR POR OTRO -> dispersión de β
4 INESTABILIDAD TÉRMICA
C ( ) C B I = + β ⋅ I + β ⋅ I 0 1
β aumenta con la temperatura
IC0 se duplica por cada 10 ºC de aumento
de la temperatura (más importante en el
Ge que en Si)
3.3 Circuito de polarización estabilizada de emisor.
 La red de polarización de cd de la figura 4.17 contieneun resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuración de polarización fija. La estabilidad mejorada se demostrará más adelante en esta sección mediante un ejemplo numérico. El análisis se realizará examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigará la malla de colector a emisor.

 

3.4 Polarización con divisorde voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (ð ) del transistor. Sin embargo, ya que ð es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de polarización menosdependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuración de polarización con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequeña. Si los parámetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta.Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto de operación sobre las características, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del circuito.
Como se observó anteriormente, existen dos métodos que sepueden aplicar al análisis de la configuración con divisor de voltaje. La razón para la elección de los nombres para esta configuración se hará evidente en cuanto avancemos en los análisis siguientes. El primero que se demostrará es el método exacto que puede aplicarse a cualquier configuración con divisor de voltaje. El segundo se denominará como método aproximado, y puede aplicarse sólo si sesatisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un análisis más directo con un ahorro en tiempo y energía. Es también particularmente útil en el modo de diseño que se describirá en una sección posterior. Sobre todo, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayoría de las situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo interés que el método exacto.

Análisis...