hoja de vida

Materiales semiconductores: la palabra semiconductor define la capacidad de un material de conducir o aislar una corriente o flujo de carga. 

Conductores, cuando el flujo de carga es generoso. 

Aislante o dieléctrico, cuando ese flujo es nulo o casi nulo. 

Semiconductor, cuando el flujo de cargas es mucho mayor al dieléctrico y mucho menor al conductor. 

Mientras mayor sea laconductividad menor será la resistividad. 

Se define la resistividad como la magnitud característica que mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente eléctrica. También recibe el nombre de resistencia específica. Es la inversa de la conductividad eléctrica (, letra griega sigma). 
La resistividad se representa por (, letra griega rho) y se mide en ohmio·metro (Ω•m).
1.Elflujo de cargas es mucho mayor al dieléctrico y mucho menor al conductor.
2.Resistividad.
El silicio y el germanio tienen una estructura atómica bien definida que por naturaleza es periódica, es decir, que se repite continuamente. El patrón completo se denomina cristal y el arreglo periódico se denomina red.En un cristal puro de germanio o de silicio, los átomos están unidos entre sí endisposición periódica, formando una rejilla cúbica tipo diamante perfectamente regular. Cada átomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interactúa con el electrón del átomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material actúa como un aislante. Pero es posible que estoselectrones adquieran suficiente energía cinética de origen natural para romper el enlace y asumir el estado de “libre”. El término libre manifiesta que su movimiento será muy sensible a la aplicación de potenciales eléctricos. Las causas naturales incluyen efectos como la energía luminosa en forma de fotones o energía térmica que proviene del entorno.
3.El cristal se comportará de acuerdo con lapolarización: Aislante o semiconductor
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de zinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del número de electrones conductores quetransportan la corriente eléctrica. En un semiconductor característico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no están libres para transportar corriente eléctrica. Para producir electrones de conducción, se utilizala luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura  Un cristal de germanio o de silicio que contenga átomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo N, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producirá un semiconductor positivo, o tipo P, llamado así por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipoN y otra tipo P, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formación del cristal.

4.los cambios de temperatura que excitan los electrones de valencia y provocan su liberación de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha...