Ing. En Redes Y Telecomunicaciones

INDICE

I. OBJETIVO

II. INTRODUCCION

III. DESARROLLO

IV. CONCLUSIONES

V. BIBLIOGRAFIA

1. OBJETIVOS
En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de transistores
existentes, en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento, sus modos de
conexión más comunes y las aplicaciones de los más usados en electrónica como elcaso de Transistor de efecto campo (FET)

2. INTRODUCCION
La Electrónica es la ciencia que estudia el control del flujo de electrones en circuitos que van a desempeñar muchas funciones por medio de componentes como diodos, transistores, resistores, inductores, capacitores y otros dispositivos.
La era electrónica se introdujo con el bulbo. A la llegada del transistor se realizaron grandescambios, principalmente en las necesidades de potencia y tamaño de los componentes y circuitos. A continuación veremos los Transistores Unipolares (FET´S - MOSFET´S).
Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de los bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más utilizadas en la práctica.
En época reciente ha aparecido enel mercado una nueva tecnología de fabricación de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus diferentes regiones semiconductoras.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Definición:
Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en formade electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.

Transistores de efecto de Campo (TEC) con sus símbolos correspondientes
 
 3. DESARROLLO
CARACTERÍSTICAS
* Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi100MΩ).
* No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
* Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
* Es menos ruidoso.
* Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
TIPO DE TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentestipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método deaislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:
* El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
* El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
* El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PNdel JFET con una barrera Schottky.
* En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
* Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
* Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Soncomunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
* Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.
* Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,...