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TRANSISTORES: BIPOLARES, JFET Y MOSFET

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (FET)
Es evidente que las formas en que podemos juntar los dos tipos de semiconductores son numerosas y variadas, y cada una de ellas, seguramente, tendría unas características particulares. Sin embargo no se trata de formar uniones P-N y N-P a nuestro antojo, lo que realmente nos interesa de esta gran cantidad decombinaciones de semiconductores son aquellas cuyas propiedades sean útiles de cara a nuestros propósitos en los circuitos electrónicos y que así podamos usarlas.
Así pues, vamos ahora a ver dos nuevos tipos de transistores. Se trata del JFET cuyo nombre proviene del inglés (Junction Field Effect Transistor, o bien, transistor de efecto de campo de unión) y del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor, es decir, transistor de efecto de campo con semiconductor de óxido de metal). Al MOSFET también se le conoce con el nombre de IGFET (Isolated Gate FET, FET de puerta aislada).
1. TRANSISTORES JFET.
El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinación tan sencilla entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la forma de obtenerloses algo más rebuscada. Sin embargo, sus propiedades hacen que merezca la pena su fabricación, ya que son utilizados en gran medida por los fabricantes de circuitos electrónicos.
A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razón es sencilla: si tomamos uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N yviceversa, obtenemos otro transistor JFET pero de características distintas. Así pues, para distinguirlos, llamaremos FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo.

Veremos cómo las propiedades de ambos no sólo son distintas sino que son más bien opuestas. Para explicar su funcionamiento hay quetener en cuenta que tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unión entre ellos. Así pues, vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que llamaremos VDS, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estará representada por VGS.
Estudiar lascaracterísticas de un transistor consiste en jugar con las dos tensiones de que disponemos, aumentándolas, disminuyéndolas y observando qué pasa con la corriente que lo atraviesa.
Para estudiar su comportamiento, vamos a dejar fija la tensión entre la puerta y la fuente, VGS, y vamos a suponer que variamos la tensión entre el drenador y la fuente, VDS. La respuesta del transistor a este tipo de variaciones laspodemos ver en la gráfica.
Se pueden distinguir tres zonas según vamos aumentando el potencial VDS, estas son: zona óhmica, zona de saturación y zona de ruptura.

En la gráfica se observa el comportamiento de un JFET según vamos aumentando la tensión Vds.
En la zona óhmica, el transistor se comporta como una resistencia (óhmica), es decir, si aumentamos el potencial, VDS, crece la corriente(I) en la misma proporción; esta situación se mantiene así hasta que el potencial alcanza un valor aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si seguimos aumentando VDS, el transistor entra en la zona de saturación. Aquí su comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que, aunque sesiga aumentando VDS, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el potencial VDS de nuevo, llegamos a un valor de éste a partir del cual el comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor viene a ser del orden de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A partir de este punto la corriente I puede circular libremente, independientemente de que...