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El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Este también es un dispositivo de tres terminales que se emplea para una ampliavariedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor BJT. La diferencia principal entre las-dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente Ic la es una función directa del nivel de IB. Para elFET la corriente ID ser una función del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la corriente de la salida del circuito se controla por un par metro del circuito de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado. Así como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante teneren cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente ya sea de la conducción por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El termino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicación. Todos estamosfamiliarizados con la habilidad de un imán permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto físico directo. El campo magnético‚ de un imán permanente actúa sobre las limaduras y las atrae hacia el imán a través de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo magnético, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible. Para el FET se establece un campo eléctrico por mediode las cargas presentes que controlaran la trayectoria de conducción del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo entre la cantidad que controla y la que es controlada. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las características generales de uno contra elotro. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las características generales de uno contra el otro.

También el transistor FET (Transistor de efecto campo), se basa en el campo eléctrico para controlar la conductividad. Se utilizan como interruptores, en muchasaplicaciones, puesto que se pude controlar su conductividad aplicándole una tensión en la puerta(gate).

| P-channel |
| N-channel |
Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). |
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Esta es un comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos detransistores de efecto de campo.

Entre otros ejemplos.



Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común)
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Sepueden utilizar las dos en forma simultánea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0)
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente de base (por iluminación): IBT = IB + IP
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su construcción es similar a la de los...