Practica 1 simbologia

OBJETIVO: El alumno armará los circuitos que permitan obtener las características eléctricas en CD de diodos de Si (silicio), LED, como voltajes, corrientes, resistencia interna y potencia de consumo, e interpretará las mediciones realizadas con el multímetro y/u osciloscopio. También reportará los resultados medidos en tablas y/o gráficas según lo indique el desarrollo.
TAREA PREVIA PARA TENERDERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA
➢ Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los diodos de silicio (Si), y LED rojo de baja intensidad en CD.
➢ Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de operación, en un dispositivo semiconductor en CD.
➢ Investigar que es y cómo se calculan la resistencia estática y dinámica, en un dispositivo semiconductoren CD.
➢ Investigar que es y cómo se calculan la potencia promedio y eficaz, en un dispositivo semiconductor en CD.
➢ Realizar la simulación de los circuitos para obtener las características eléctricas del diodo de (Si).
➢ Traer hojas de especificaciones de los diodos de (LED rojo baja intensidad y Si, que se empleará el la práctica).
➢ Traer el circuito de la fig.1 armado.
MATERIAL:(anotar el material utilizado en la práctica)


Investigación:
*Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de operación, en un dispositivo semiconductor en CD
El término polarización  incluye todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd resultantesestablecen un punto de operación sobre las características, el cual define la región que se empleará para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las características, se le conoce también como punto quiescente (abreviado punto Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una característica general desalida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la región activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las características de la figura 4,1, por una línea horizontal para la corriente de colector máxima ICmáx y por una línea verticalpara el voltaje de colector-emisor máximo VCEmax. La máxima potencia de operación máxima se define por la curva Pcmáx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la región de corte,definida por IB ð 0 uA, y la región de saturación, definida por VCE ð VCEsat.
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Figura 4.1 Diversos puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor.
 
Eldispositivo BJT podría polarizarse para operar fuera de estos puntos limite máximos, pero el resultado de tal operación causaría ya sea el acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destrucción. Concentrándonos en la región activa es posible elegir muchas áreas o puntos de operación diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dará al circuito. No obstante, es posibleconsiderar algunas diferencias entre la operación en puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas básicas en tomo al punto de operación y, por ello, al circuito de polarización.
Si no se utilizara la polarización, el dispositivo estaría al principio totalmente cortado (desactivado), lo cual produciría la A, esto es, corriente cero a través del dispositivo (y voltaje cero a travésdel mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una señal de entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta operación deseada. Si se aplica una señal al circuito, ademas del nivel de polarización, el dispositivo variará sus valores de corriente y voltaje a...