transistor

Colegio de Bachilleres del Estado de Puebla.
Organismo Público Descentralizado.
Dirección General. Dirección Académica.
P-23 “Prof. Delfino Reyes Arroyo.” Clave:21ECB00230 Zacatlán Pué.
Ing. Edgar Medina Martínez.
Nombre de la Alumna: Grupo: “”. Electricidad.
Practica electrónica No.2.transistro de Efecto de Campo.
OBJETIVO:
El alumnocompara el uso y funcionamiento del FET y/o MOSFET; con circuitos electrónicos aplicando sus conocimientos de semiconductores, componentes pasivos para comprender su funcionamiento.
Competencias Genéricas a Desarrollar:
1.-Se conoce y valora a si mismo y aborda problemas y retos teniendo en cuenta los objetivos que persigue.
2.-Escucha, interpreta y emite mensajes pertinentes en distintoscontextos mediante la utilización de medios, códigos y herramientas apropiadas.
3.-Desarrolla innovaciones y propone soluciones a problemas a partir de métodos establecidos.
4.-Aprende por iniciativa e interés propio a lo largo de la vida.
5.-Participa y colabora de manera efectiva en equipos diversos.
Competencia disciplinar Profesional:
1.-Proporciona mantenimiento a equipos electrónicos yeléctricos.
2.-Construlle circuitos electrónicos y eléctricos con base a las normas oficiales.
3.-Interpreta diagramas electrónicos.
4.-Utiliza instrumentos de Medición de manera Correcta.
Fundamento teórico:
Circuito Transistor de Efecto de Campo:
Circuito electrónico:(Espacio para colocar la teoría de los componentes electrónicos)
Resistencia: Es la limitación del paso de la corriente.
Pila: fuente de alimentación.
Mosfet:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es untransistor utilizado paraamplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de losmicroprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor(S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de siliciopolicristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalinocomenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en lacompuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es másinclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
Estructura metal-óxido-semiconductor[editar]
Véase también: Estructura MOS


Estructura...