transistores

Etapa 4
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente enla base de los mismos se controiaba una corriente de colector mayor Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entradaCaracteristicas generales:
°Por el terminal de control no se absorbe corriente
°Una señal debil puede controlar el componente
°La tensión de control se emplea para crear un campo electrico
Con ios transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de ios mismos se controiaba una corriente de colector mayor Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en ios que la corriente secontrola mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada
Caracteristicas generales:
o Por el terminal de control no se absorbe corriente
o Una señal debil puede controlar el componente
a La tensión de control se emplea para crear un campo electrico
Se empezaron a construir en Ia década de los 60.Existen dos tipos detransistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión)
y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su apiicación más irecuente la encontrarnos en ios circuitos integrados.
Es un componente de tres terminaies que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S. Source). y Drenaje (D, Drain). Según suconstrucción pueden ser de mi P o de canal N. Sus simbolos son los siguientes:
Se empezaron a construir en Ia década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su apiicación más irecuente la encontrarnos en ios circuitosintegrados.
Es uncomponente de tres terminaies que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S. Source). y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de mi P o de canal N. El canal de un FET es dopado para producir tanto un semicondudm tipo N o Un tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al
Canal el caso de FETs de modo mejorado. o dopados de manera similar canal de un FET enmodo agotamiemo. Los transistores de efecto de campo
También son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta
Podemos clasificar los transistores de efecto de campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta :
°EL MOSFET (metal y oxide y semiconductor field-effect transistor ) usa un aislante normal (normalmente SiO2)
°El JFET (Junction Fiel-effectTransistor )usa un una unión p-n
°El MESFET ( Metal semiconductor Fiel Effect Transistor ) sustituye la unión PN del JFET con la barrera schottky
° En el HHEMT ( hi electrón mobility transistor ) también denominado HEFET (heterostructure FET) la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor .
° Los MODET ( modulation doped field effect transistor)
°los IGBT (insulated gate bipolar transistor ) es un dispositivo de control de potencia. Son común mente usada cuando el rango de voltaje drenaje-fuete están entre los 200 a 3000V . aun así los Poder MOSFET todavía son los dispositivos mas usados en el rango de tensiónes drenaje-fuente de 1 a 200V.
°los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida deltransistor .
° los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biossensor usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una para detectar cadenas ADN iguales.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a...