Analogica

Instituto Tecnológico de
Durango
Ingeniería Mecatronica
Electrónica Analógica
Ing. Miguel Aguirre Bolivar
Equipo No. 7
Gallegos Zamarripa Manuel Andrés
13041232
Reveles Simental Osiel
13041263
SierraHernández Carlos
13040449

Cd. Victoria de Durango, Dgo., a 07 de septiembre de 2015

El funcionamiento del diodo láser lo determinan su composición química.
Todos los diodos son, en esencia,estructuras de varias capas, formadas por varios
tipos diferentes de material semiconductor. Los materiales son contaminados con
impurezas por medio de químicos, para darles ya sea un exceso de electrones(Tipo N)
o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).
Los diodos láser que emiten en la región 0.78 a 0.9 micrón, están formados por capas
de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio ygalio (ALGaAs) desarrollado
sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos para longitud de onda mayor, que
emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de indio y
galio(InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP.

Instituto Tecnológico de Durango - Ing. Mecatronica

La base del diodo es un subestrato formado por GaAs o InP, tipo N, conalta
impurificación. Sobre la parte superior del subestrato, y a manera de descubrimiento, se
desarrolla una capa plana más ligera del mismo material, Tipo N y con impurificación.
Sobre la capa derecubrimiento tipo N se desarrolla una capa activa de semiconductor sin
impurificaciones. Después, sobre la capa activa de tipo P, con alto grado de
impurificación.

Instituto Tecnológico de Durango - Ing.Mecatronica

Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual surge
cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar
al estado de reposo,este proceso esta acompañado con la emisión de un fotón, con
la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. Para que el numero de fotones
estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma...