ANALOGICA

INTRODUCCION
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos. Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las principales analogías y diferencias existentes entre lostransistores FET
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión). De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla detransistores FETs de canal n y de canal p.
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET.






















1.- Transistores de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corrienteen la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.

Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una señal muydébil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos enlos circuitos integrados.

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:Parámetros de un FET de canal N
Parámetros de un FET de canal P




2.- Simbología
A continuación encontrarás una relación del conjunto o sistema de símbolos comúnmente utilizados para representar los transistores de unión, los del tipo FET (Field Effect Transistor - Transistor- de Efecto de Campo) y los del tipo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor- - Transistor de Efecto deCampo Semiconductor, de Óxido Metálico)
Transistores De Unión
 








Transistor común PNP

Transistor común NPN


Transistor NPN con      unión en la cápsula

Transistor multiemisor


Fototransistores








NPN con      conexión a    base


NPN sin      conexión a   base



Transistores FET








Canal N


Canal P



Transistores De Unión FET (JFET)
(Joint Field Effect Transistor -Transistor de Unión de Efecto de Campo )








Canal N


Canal P


Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente









Tipo  Empobreci-
miento N


Tipo Empobreci-
miento P


Tipo Enriqueci-
miento N


Tipo Enriqueci-
miento P


Con cuatro terminales o patillas








Tipo N


Tipo P



De doble puerta






DARLINGTON










NPN


NPN


PNP




SCHOTTKY








PNP


NPN3.- Curva de Transistores de Efecto de Campo
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.
Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta...