Bachiller en ciencias

BJT
(Bipolar junction transistor – Transistor junta bipolar)

FET
(Fiel effect transistor – Transistor efecto de campo)
Dispositivo controlado por corriente.
Dispositivo controladopor voltaje.
Posee un parámetro de salida (I) corriente, controlado por un parámetro de entrada (I) corriente también.
Posee un parámetro de salida (I) corriente, controlado por unparámetro de entrada (V) voltaje.
Dispositivo de tres terminales (base, colector y emisor) que funciona por la junta de dos tipos de portadores.
Dispositivo de tres terminales (compuerta,drenaje y fuente) que funciona bajo la aplicación de un campo eléctrico, necesita la aplicación de un voltaje para poder aplicar el campo.
Transistor de junta bipolar de dos partículas ya que,necesita de huecos y electrones, es decir material tipo N y tipo P.
Transistor de junta unipolar puesto que, trabaja con un solo tipo de partículas huecos o electrones, o sea material tipoN o tipo P.
Dependiendo de la configuración en la que se utilice este transistor la impedancia de entrada ( varia.
Su impedancia de entrada ( es alta.
Poseen alta ganancia.Dependiendo de la configuración en la que se utilice este transistor varia su ganancia, sin embargo no es muy alta.
Son muy sensibles a la temperatura y a cambios aplicados en la señal medida.
Sonmás estables a los cambios de temperatura
Universidad Nacional Experimental Politécnica “Antonio José de Sucre”
Vicerrectorado de Puerto Ordaz
Departamento de Ingeniería ElectrónicaCátedra: Electrónica II


A continuación se realizara un cuadro comparativo entre dos tipos de transistores el BJT estudiado en electrónica I y el FET próximamente a estudiar a lo largodel semestre y es importante agregar que ambos dispositivos trabajando en conjunto logran compensarse uno al otro, siendo de mucha utilidad al momento de realizar cualquier diseño.