bachillerato en ciencias bilingue

CARACTERISTICAS V-I DEL FET


1. Procedimiento y Resultados.

1.1. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores.

Como primer punto, tenemos el de obtener lasespecificaciones del fabricante. Esto lo realizamos por medio del datasheet correspondientes a cada elemento.


Fig. 1. Graficas de la curva característica y característica de transferencia de un NMOS 2N700Fig. 2. Graficas de la curva característica y característica de transferencia de un JFET 2N5457

Observando la grafica de la característica de transferencia mostrada en la figura 1 se estimael valor del voltaje de umbral,


Utilizando la siguiente ecuación:


podemos determinar la corriente de saturación como función del voltaje de de compuerta a fuente y la constante .Despejando la ecuación para , nos queda lo siguiente:



Y sustituyendo por estos valores:


Da como resultado:


Ahora calcularemos los parámetros para el JFET, utilizando la figura 2. Al igualque en el MOSFET, para obtener el voltaje de umbral se debe ubicar en la característica de transferencia el punto en que la corriente de drenaje deja ser 0:



Y para calcular el valor debuscaremos el valor de la corriente de saturación para un voltaje de compuerta a fuente de 0, dando con el siguiente valor:



1.2. Obtención de la curva característica del NMOS

En este segundopunto, nos corresponde desarrollar de forma experimental la obtención de la curva característica de un NMOS. Para ello debemos armar el siguiente circuito, mostrado en la figura 3. En este punto se debenconsiderar los siguientes puntos:
Calibrar el generador de señales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con amplitud de 10Vp-p.
Conecte el generador de señales alcircuito mostrado en la figura 1.
Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura e invierta la señal del canal X.
Conecte el canal Y entre D y tierra real.
Conecte el canal X entre...