CARACTERISTICAS DE TRASISTORES BJT

CARACTERISTICAS DE TRASISTORES BJT
CONSTRUCCIÓN DE BJT Y SIMBOLOS
El transistor bipolar de unión (BJT) es un dispositivo de tres elementos (emisor, base y colector) hechos de capas alternas de materiales semiconductores de tipo N y P unido metálicamente. El transistor puedes ser del tipo PNP (conducción principal mediante electrones negativos) como se muestra en la figura.

CARACTERISTICASTERMINALES DE LA BASE COMÚN
La conexión den la base común (BC) es un arreglo de dos puertos del transistor, el cual comparte la base con un punto común con las terminales de entrada y salida.
La variable independiente de la entrada es la corriente del emisor IE, y el voltaje emisor-base VEB.
Las variables independiente de salida son la corriente del colector IC y el voltaje colector-base VCB.
1. Lascaracterísticas de entrada o de transferencia relacionan IE y VEB (variables del punto de entrada) cuando se mantiene constante el valor de VCB (variable del punto de salida).
2. Las características de salida o de colector dan IC en función de VCB (variable del punto de salida) para valores constantes de IE (variable del punto de entrada).



CARACTERISTICAS TERMINALES DEL EMISOR COMUN

Laconexión del emisor común (EC) es un arreglo de un transistor de dos puertos (ampliamente usado debido a su amplificación de corriente alta) en el que el emisor comparte un punto común con las terminales de entrada y salida

Las variables independientes del puerto de entrada son la corriente de base lb y el voltaje entre la base y el emisor VBC, y las variables del puerto de salida son la corriente decolectores el voltaje del colector el emisor VCE.

1- Las características de entrada o de transferencia que relacionan las variables del puerto de entrada IB y VBC con VCE constante
2- Las características de salida o del colector muestran la relación funcional entre las variables de salida del puerto IC y el VCE para la LB constante.


RELACIONES DE CORRIENTES

Las dos uniones PN de los BJTpueden estar polarizadas independientemente, lo cual da por resultado cuatro posibles modos de operación de un transistor como se indica en la tabla. Una unión esta esta polarizada en forma directa si el material N está en un potencial más alto que el del material P.
POLARIZACIÓN DEL EMISOR-BASE
POLARIZACIÓN DEL COLECTOR-BASE
MODO DE
OPERACIÓN

DIRECTA
DIRECTA
SATURACIÓN
INVERSA
INVERSA
CORTE
INVERSADIRECTA
INVERSA
DIRECTA
INVERSA
LINEAL O ACTIVA

La saturación indica operación (con |VCE|= 0,2V y |VBC|= 0,5 para los dispositivos de Si) tal que fluye la máxima corriente en el colector y el transistor actúa en forma muy parecida a un interruptor cerrado entre las terminales del colector y emisor.
El corte indica una operación cercana al eje de voltaje de las características del colector,donde el transistor actúa de forma muy semejante a un interruptor abierto. Solo la corriente de fuga (similar a I0 del diodo) fluye en este modo de operación; así pues, IC=ICE=0 para la conexión BC y IC=ICBO=0 para la conexión EC.
El modo inverso es un modo activo de poco uso e ineficiente, en que el emisor y el colector están intercambiados.
El modo activo o lineal, describe la operación en laregión a la derecha de la saturación y arriba del corte, aquí, existen relaciones casi lineales entre las corrientes terminales y las constantes siguientes de proporcionalidad se definen para las corrientes de Cod.


Donde las corrientes de fuga generadas térmicamente se relacionan mediante
ICEO= (β+1) ICBO
La constante α<1 es una medida de la proporción de la mayoría de portadores (huecos paralos dispositivo PNP, electrones para NPN) introducida en la región base del emisor que son recibidos por el colector.
La ecuación β IB= IC-ICEO es la característica de amplificación de la corriente Cd en el BJT; excepto para la corriente de fuga, la corriente de base se incrementa o amplifica a veces para llegar a ser la corriente del colector en condiciones de C.d, LCK da
IE= IC+IB
LINEAS...