Caracterizacion De Suboxidos De Silicio Obtenidos Por La Tecnica Pecvd
Páginas: 2 (444 palabras)
Publicado: 17 de octubre de 2012
CARACTERIZACION DE SUBOXIDOS DE SILICIO OBTENIDOS POR LA TECNICA PECVD
El establecimiento de una tecnología capaz de fabricar dispositivos cuyas características finales se ajustan a los resultadosde la modelización, requiere la definición de los materiales y sus propiedades de acuerdo con los procesos involucrados en su obtención y transformación.
La obtención de los materiales aptos paraconseguir las estructuras multicapa que confinen la luz con bajas pérdidas de conducción, se realiza teniendo en cuenta una serie de criterios a cumplir. En primer lugar su índice de refracción ha deser uniforme y reproducible, deben poseer una buena adherencia con el substrato y las capas verticalmente adyacentes, su estructura no ha de ser poli cristalina para evitar fenómenos debirrefringencia, se requiere un bajo contenido en defectos e impurezas que aumentan las pérdidas por absorción deben ser mecánicamente resistentes y químicamente estables cuando se utilizan como sensores y además,han de presentar propiedades elásticas compatibles con posibles tratamientos térmicos posteriores.
El SiO2 tiene excelentes propiedades dieléctricas. La capacidad Metal-Oxido-Si (MOS) permite inducircarga en la región superficial del semiconductor aplicando un voltaje al electrodo metálico. Este efecto se utiliza en el transistor de defecto de campo que es el dispositivo básico en grandes escalasde integración. La calidad del material y de la interface ha de ser muy grande cuando el óxido actúa como puerta en transistores MOS. Esta aplicación requiere una alta resistencia a la rupturadieléctrica una baja densidad de trampas en la interface Si-SiO2 y una carga fija lo más pequeña posible.
Si bien existen una serie de técnicas básicas en la realización de los componentes ópticos comopuede ser la fotolitografía y el grabado para definición de los motivos, ambas derivadas de la tecnología microelectrónica; otras son especificas del tipo de material base que se utiliza. Así tenemos...
El establecimiento de una tecnología capaz de fabricar dispositivos cuyas características finales se ajustan a los resultadosde la modelización, requiere la definición de los materiales y sus propiedades de acuerdo con los procesos involucrados en su obtención y transformación.
La obtención de los materiales aptos paraconseguir las estructuras multicapa que confinen la luz con bajas pérdidas de conducción, se realiza teniendo en cuenta una serie de criterios a cumplir. En primer lugar su índice de refracción ha deser uniforme y reproducible, deben poseer una buena adherencia con el substrato y las capas verticalmente adyacentes, su estructura no ha de ser poli cristalina para evitar fenómenos debirrefringencia, se requiere un bajo contenido en defectos e impurezas que aumentan las pérdidas por absorción deben ser mecánicamente resistentes y químicamente estables cuando se utilizan como sensores y además,han de presentar propiedades elásticas compatibles con posibles tratamientos térmicos posteriores.
El SiO2 tiene excelentes propiedades dieléctricas. La capacidad Metal-Oxido-Si (MOS) permite inducircarga en la región superficial del semiconductor aplicando un voltaje al electrodo metálico. Este efecto se utiliza en el transistor de defecto de campo que es el dispositivo básico en grandes escalasde integración. La calidad del material y de la interface ha de ser muy grande cuando el óxido actúa como puerta en transistores MOS. Esta aplicación requiere una alta resistencia a la rupturadieléctrica una baja densidad de trampas en la interface Si-SiO2 y una carga fija lo más pequeña posible.
Si bien existen una serie de técnicas básicas en la realización de los componentes ópticos comopuede ser la fotolitografía y el grabado para definición de los motivos, ambas derivadas de la tecnología microelectrónica; otras son especificas del tipo de material base que se utiliza. Así tenemos...
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