COMPONENTES ACTIVOS Y OTROS DISPOSITIVOS

COMPONENTES ACTIVOS Y OTROS DISPOSITIVOS
Hacemos aquí una breve introducción sobre componentes activos básicos, centrándonos en diodos y transistores, y un ligero repaso a otro dispositivo muy importante como es el amplificador operacional.
El diodo es el dispositivo no lineal más simple de dos terminales, y que tiene diversas aplicaciones en la electrónica.
Por su parte, dentro de lostransistores, nos encontramos con el BJT y el FET. Los transistores bipolares de unión son dispositivos activos que desempeñan un papel importante fundamentalmente en el diseño de amplificadores electrónicos de banda ancha y en circuitería digital rápida. Los transistores de efecto de campo son dispositivos sensibles al voltaje, con gran impedancia de entrada y usados como fuentes controladas porvoltaje en el diseño de amplificadores e interruptores.
Dejando los componentes activos básicos, nos encontramos con uno de los circuitos integrados más importante en las aplicaciones analógicas, el Amplificador Operacional.
Cuando usemos estos componentes es importante poder identificarlos en la medida de lo posible, así como conocer una serie de consejos prácticos a la hora de utilizarlos encircuitos electrónicos.
TRANSISTOR BJT

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. Él para metro de la potencia disipada por el transistor esespecialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Estedispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.








Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corrienteconstante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto, suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir esteparámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre elcolector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).
3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.



El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes sonopuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.




TRANSISTOR FET (JFET)

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de...