conductores

MANUFACTURA DE
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
WINNER LOPEZ
JESUS ALBERTO MUÑOZ LOPEZ
STEPHANIE MUÑOZ
GONZALO SIERRA
MISAEL ANDRES SURMAY TORRALBO

FUNDACION UNIVERSITARIA TECNOLÓGICO
COMFENALCO

SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen
una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen
aislante. El semiconductor másutilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza,
después
del
oxígeno.
Otros
semiconductores son
el germanio y el selenio.

PROCESOS DE MANUFACTURA

2

DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES

EL DIODO: es un componente electrónico
que permite el paso de la corriente en un
sentido y lo impide en el contrario. Esta
provisto de dos terminales, el ánodo (+) y
elcátodo (-) y, por lo general conduce la
corriente en el sentido. 

PROCESOS DE MANUFACTURA

3

Circuito
integrado
Dispositivo electrónico miniaturizado
consistente en un sistema interconectado
de
elementos
activos
(
diodos,
transistores) y pasivos (resistencias,
condensadores), íntimamente unido a un
material semiconductor, y capaz de
realizar las mismas funciones que uncircuito electrónico completo.
PROCESOS DE MANUFACTURA

4

Producción
de EGS
SiHCl3(gas) + H2(gas) → Si(sólido) + 3HCl(gas)

Esta reacción tiene lugar en un reactor que
contiene una barra de silicio caliente que sirve
para que el silicio electrónico se deposite sobre
ella. El EGS es un silicio policristalino de alta
pureza (concentración de impurezas en una
parte por mil millones) y es elelemento de
partida para crear silicio monocristalino.
PROCESOS DE MANUFACTURA

5

Crecimiento
de cristales

•

•

•

El método de Czochralski es el método empleado en el 90% de los casos para
obtener silicio monocristalino a partir de silicio policristalino (EGS). Este método
utiliza para el crecimiento de cristales un aparato denominado ‘puller’, que consta de
trescomponentes.
Un horno, que incluye un crisol de sílice fundida (SiO2 ), un soporte de grafito, un
mecanismo de rotación (en el sentido de las agujas del reloj) un calentador y una
fuente de alimentación.
Mecanismo de crecimiento del cristal, que incluye un soporte para la semilla
(muestra patrón del cristal que se pretende crecer) y un mecanismo de rotación (en
el sentido contrario al de las agujas delreloj).
Mecanismo del control de ambiente.
Incluye una fuente gaseosa (argón por ejemplo),
un mecanismo para controlar el flujo gaseoso
y un sistema de vaciado.

PROCESOS DE MANUFACTURA

6

Preparación
de obleas
•

Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um
de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros). Después, se alisa la pieza
hasta obtener un acabadode espejo, a partir de técnicas de pulimento
químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea
dependen de la orientación de los planos cristalinos, concentración e
impurezas existentes. Para aumentar la resistividad eléctrica del
semiconductor,
se necesita alterar las propiedades
eléctricas del Silicio a partir de un
proceso conocido como dopaje.
Una oblea desilicio tipo n excesivamente
impurificado (baja resistividad) sería
designada como material n+, mientras
que una región levemente impurificada se designaría n-.

PROCESOS DE MANUFACTURA

7

Métodos de
fabricación de
película delgada
La serigrafía consiste en la aplicación directa del
material del circuito sobre el sustrato, a través
de una mascara. Su uso esta normalmente
limitado acircuitos de mucha superficie cuyas
tolerancias no son estrictas. En los métodos
fotográficos se depositan películas delgadas de
material por medio de una serie de plantillas
fotograbadas.

PROCESOS DE MANUFACTURA

8

Métodos de
fabricación de
película delgada
•

•

El diseño: del sustrato y la distribución del resto de los
componentes agregados al microcircuito.
Las plantillas...