configuracion de transistores jfet

LABORATORIO
(JFET Y MOSFET)







PRESENTADO POR:
EMILI CATHERINE TRUJILLO
RENSO CORREA
JAMES ORTEGA
SAID
CRISTIAN ARIAS



PRESENTADO A:
ING ALEJANDRO GUERREROUNIVERSIDAD DE PAMPLONA
(08_MAYO_2013)



INTRODUCCION

Este trabajo está basado en la elaboración de un circuito donde trabajamos con jfet y mosfet donde el jfet es un dispositivo electrónico,esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores deentrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que sesimplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P encuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar unatensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando estaVGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denominaVp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
Y un mosfet es un transistor utilizado para amplificar oconmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular...