Transistores jfet

Universidad de Oriente Núcleo de Anzoátegui Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas Departamento de Tecnología Área de Electrónica

Prof. Tony Castillo

TRANSISTORES FET
SímbolosElectrónicos

Símbolo de un FET de canal N

Símbolo de un FET de canal P

TRANSISTORES FET
Diagrama de Construcción

Diagrama de Capas

TRANSISTORES FET
Diferencias entre el JFET y el BJT
BJTControlado por corriente de base. Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones IC es una función de IB β (beta factor de amplificación) Altas ganancias de corriente yvoltaje

JFET
Controlado por tensión entre puerta y fuente Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n) ID es una función de Vgs gm (factorde transconductancia) Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT Relación cuadrática entre Vgs e Id

Relación lineal entre Ib e Ic

TRANSISTORES FETDonde: Id: Corriente de fuente Idss: Corriente máxima del drenaje (Vgs=0V y Vds>lVpl Vgs=Voltaje puerta-fuente (es el voltaje que controla al FET) Vp=Voltaje de estrangulamiento K: Valores obtenidos en laData Sheet

TRANSISTORES FET
Características de Transferencia del JFET
Esta es una curva de la corriente de salida en función de la tensión Puerta-Fuente. Se puede observar que la corriente Idaumenta rápidamente a medida que Vgs se acerca a 0V. La característica de transferencia normalizada muestra que el Id es igual a un cuarto del máximo cuando Vgs es igual a la mitad del corte.TRANSISTORES FET
Curva de Transferencia de un FET de canal P

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Curva Característica

TRANSISTORES FET
Regiones o zonas de operación del FET:
Zona Óhmica o lineal: El
FET secomporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS. Zona de saturación: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de...