Control De Potencia Ac Con Un Scr

LABORATORIO No. 1
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
OBJETIVOS
* Conocer las características de los dispositivos semiconductores de potencia ante corriente continua.
* Identificar los terminales de los dispositivos de potencia mediante el uso de óhmetro y manuales de servicios.
* Analizar el funcionamiento de los dispositivos semiconductores mediante el control de potencia en corrientecontinua.
* Observar los diferentes métodos de cebado y descebado de los semiconductores de potencia.
EQUIPOS
* Fuente de energía (VDC)
* Multimetro (análogo o digital)
MATERIALES
* 2 SCR
* 1 TRIAC
* 1 CUADRAC
* 2 DIODOS LED
* 1 R 120 OHM
* 4 R 1K
* 1 CONDENSADOR 2.2 UF – 20V
* 2 PULSADORES NA
HERRAMIENTAS
* 1 PROTO-BOARD
* 1 PINZAS PLANAS
*1 CORTAFRIO
* CONECTORES CAIMANES

TIPOS DE TIRISTORES
Tiristores de fase.
Tiristores de conmutación rápida.
Tiristores de desactivación por compuerta por (GTO).
Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR).
Este dispositivo se activa mediante radiación directa sobre el disco de silicio provocado con luz. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiaciónproducen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisión de cd de altovoltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o devolt-amperesreactivos(VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4kva 1500 A, con unapotencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt típico es
250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.

Tiristores controlados por FET y MOS (MCT).
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las características de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. La estructura NPNP, se puede representar por dos transistores. La estructura decompuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p y un MOSFET de canal n.
Debido a que se trata de una estructura NPNP de un SCR normal, el anodo sirve como la terminal de referencia

DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD
I. Identificación de los semiconductores de potencia utilizando el óhmetro
1.) Identificar los semiconductores de potencia mediante el uso del óhmetro en la escala X1.a.) Cuando es un SCR.
Para identificar un SCR, se emplea un Multímetro análogo. En esta práctica utilizamos un multímetro análogo en donde se debe tener en cuenta la polaridad interna del óhmetro. Es decir, el borne positivo (+) exterior es negativo interno y el borde negativo (-) exterior es positivo interno.
Figura 1. Identificación de los terminales de SCR
De acuerdo a la figura 1, lalectura de resistencia entre los dos electrodos principales ánodo – cátodo, debe ser altísima en ambas direcciones cuando se intercambian las puntas. Cuando se polariza directamente la unión compuerta – cátodo, colocamos la punta positiva del óhmetro a la puerta y la negativa al cátodo, el óhmetro debe de marcar una resistencia baja. Si invertimos las puntas del óhmetro este debe de marcar unaresistencia infinita.

Figura 1

b.) Cuando es un TRIAC.
Un TRIAC se puede probar estando desconectado el circuito por medio de un óhmetro análogo o digital. La resistencia entre los dos electrodos principales MT1 y MT2, debe ser alta o infinita en ambas direcciones, se dice que el TRIAC tiene impedancia alta. La resistencia entre dos electrodos de la puerta y MT1, ambas direcciones son de...