Cosas

LABORATORIO DE INSTRUMENTACIÓN I
PRÁCTICA 5: AMPLIFICADOR CON JFET
1. EL TRANSISTOR JFET.
El transistor de unión de efecto campo JFET (Junction Field Effect Transistor)
está formado por una uniónp+n o n+p. El lado más dopado corresponde a la puerta,
mientras que el menos dopado es el canal. Según el tipo de dopado del canal,
distinguiremos dos tipos de transistores JFET: de canal n y decanal p. La figura 1
representa esquemáticamente la estructura de un transistor JFET de canal n.
En la práctica, la estructura real de los transistores JFET difiere del esquema
idealizado de lafigura 1. Es habitual que haya dos zonas p+ o n+ cumpliendo el papel
de puerta, que se polarizan a través del mismo electrodo.

VGS

Puerta
(Gate)

z
x
y
Zona de
Vaciamiento
Drenador
(Drain)Fuente
(Source)

puerta p+
W(y)

y

canal n

d

Z

L

VDS

Figura 1. Esquema de un transistor JFET de canal n.

El funcionamiento del JFET, a grandes rasgos, es el siguiente:En los extremos del canal se colocan dos electrodos (fuente y drenador), de
modo que al establecer una diferencia de potencial (VDS) entre ellos circulará una
corriente a través del canal. Por otrolado, en la unión p-n constituida por la puerta y el
canal se formará una zona de vaciamiento. La anchura de esta zona de vaciamiento
puede aumentarse al establecer una polarización inversa entre lapuerta y el canal, (VGS)
con lo cual la anchura efectiva del canal se reducirá. Esta reducción de la anchura del
canal supone un aumento de su resistencia que resultará en una disminución de lacorriente que lo atraviesa. En definitiva, se consigue modular la corriente entre dos
terminales (fuente y drenador) mediante la aplicación de una señal en un tercer terminal
(puerta).
Debido a laaplicación de una tensión VDS entre drenador y fuente, se establecerá
un gradiente de potencial a lo largo del canal de modo que la anchura de la zona de
1

vaciamiento entre la puerta y el canal...