CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
Páginas: 3 (653 palabras)
Publicado: 3 de noviembre de 2014
INTRODUCCION
Como objetivo de la práctica siguiente es observar la curva característica del transistor bipolar en configuración emisor común.
Esto se lleva acabo siguiendo los pasos que ya vienenpredeterminados en la practica.
Para poder Obtener la curva característica del colector del transistor bipolar, en su configuración emisor común es necesario realizar las mediciones correspondientespara que una vez que se tengan estos datos en base a ellos poder graficarla.
También esto es igual al querer Obtener la curva característica de base del transistor bipolar, en su configuraciónemisor común.
ANTECEDENTES
ANTECEDENTES TEÓRICOS
La notación y símbolos utilizados para la configuración emisor común con transistores PNP y NPN semuestran en la figura 6.1.
Figura 6.1 a) Transistor NPN, b) Transistor PNP.
En la figura 6.2 se observa la característica de colector (salida), donde se relacionan la corriente de colector, elvoltaje colector-emisor y la corriente de base.
Figura 6.2 Característica de colector
Las tres regiones básicas de interés: activa, de saturación y de corte se observan en la figura 6.2. Note lamagnitud en microamperios de IB en comparación de los miliamperios de IC. En la región activa, la unión de colector-emisor está polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor está polarizadadirectamente. Esta región se puede emplear paranamplificación de corriente, voltaje o potencia. La región de corte se encuentra por debajo de la curva para IB=0, donde se observa una corriente decolector ICE0. 29 La región de saturación se encuentra a la izquierda del voltaje colector-emisor de
saturación, donde se observan pequeñas variaciones en el voltaje VCE para grandes cambios en lacorriente de colector IC. En la figura 6.3 se observa la característica de base (entrada) donde se muestra la corriente de base IB contra el voltaje base-emisor (VBE) para un rango de valores de voltaje...
Como objetivo de la práctica siguiente es observar la curva característica del transistor bipolar en configuración emisor común.
Esto se lleva acabo siguiendo los pasos que ya vienenpredeterminados en la practica.
Para poder Obtener la curva característica del colector del transistor bipolar, en su configuración emisor común es necesario realizar las mediciones correspondientespara que una vez que se tengan estos datos en base a ellos poder graficarla.
También esto es igual al querer Obtener la curva característica de base del transistor bipolar, en su configuraciónemisor común.
ANTECEDENTES
ANTECEDENTES TEÓRICOS
La notación y símbolos utilizados para la configuración emisor común con transistores PNP y NPN semuestran en la figura 6.1.
Figura 6.1 a) Transistor NPN, b) Transistor PNP.
En la figura 6.2 se observa la característica de colector (salida), donde se relacionan la corriente de colector, elvoltaje colector-emisor y la corriente de base.
Figura 6.2 Característica de colector
Las tres regiones básicas de interés: activa, de saturación y de corte se observan en la figura 6.2. Note lamagnitud en microamperios de IB en comparación de los miliamperios de IC. En la región activa, la unión de colector-emisor está polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor está polarizadadirectamente. Esta región se puede emplear paranamplificación de corriente, voltaje o potencia. La región de corte se encuentra por debajo de la curva para IB=0, donde se observa una corriente decolector ICE0. 29 La región de saturación se encuentra a la izquierda del voltaje colector-emisor de
saturación, donde se observan pequeñas variaciones en el voltaje VCE para grandes cambios en lacorriente de colector IC. En la figura 6.3 se observa la característica de base (entrada) donde se muestra la corriente de base IB contra el voltaje base-emisor (VBE) para un rango de valores de voltaje...
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