Curva característica del transistor

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA
CARRERA DE INGENIERIA ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA II
PRACTICA # 1
Integrantes: Niola Quito Christian Xavier
e-mail: cniola@est.ups.edu.ec
TEMA: TRANSISTOR BJT, CURVA CARACTERISTICA
RESUMEN:
En este informe se indica cómo obtener la curva característica del transistor NPN y PNP respectivamente. En base a los parámetros medidosdel Voltaje colector emisor (VCE) y de la corriente de colector (Ic) que son necesarios para la construcción de la gráfica.
OBJETIVOS:
Conocer los detalles básicos de los transistores BJT.
Armar dos circuitos uno con el transistor NPN y otro con un PNP.
Obtener las curvas características de VCE vs Ic, y la curva característica Ib vs Ic.
MARCO TEORICO:
Transistor BJT
Dispositivoelectrónico, que por sus siglas en ingles indican, Transistor de unión Bipolar. Está conformado por tres terminales cada una con diferente nombre los cuales son: Base, Colector y Emisor. Existen dos tipos los transistores NPN y PNP y se los puede diferenciar mediante una flecha el cual indica el sentido que atraviesa la corriente. En la figura 1 se indican los tipos de transistor.(a) (b)
Figura. 1
Transistor BJT; (a) Transistor NPN; (b) Transistor PNP
(Fuente; Autor)
Funcionamiento del transistor
Su funcionamiento está basado en el control de la corriente que circula entre el colector y emisor, mediante la corriente de base. Con pequeñas variaciones de corriente através de su terminal base se obtienen grandes variaciones de corriente entre sus terminales colector-emisor. En la figura 2 se muestra un ejemplo de funcionamiento del transistor. [1]

Figura. 2
Ejemplo de funcionamiento del transistor
(Fuente; Referencia bibliográfica [1])
Regiones de funcionamiento
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debetener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación. [2][3]
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje de alimentación). [3]
Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casinulo (cero voltios). [3]

Figura. 3
Funcionamiento del transistor; Zonas de corte y saturación
(Fuente; Autor)
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor aún, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturación, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se esté operando entre encendido yapagado.
LISTA DE MATERIALES HERRAMIENTAS Y EQUIPOS:
TABLA 1
Lista de lo utilizado en el desarrollo de la practica
MATERIALES
Resistencias
Transistores 2N3904, 2N3906
HERRAMIENTAS
Multímetro
Cables Banana
Protoboard
EQUIPOS
Fuente de tensión
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA:
Curva característica transistor NPN
Esquema del Circuito:
El circuito es la configuración emisor común del transistorNPN, que está conformado de la siguiente manera; del terminal positivo de la fuente VDD que será regulada desde 0V a 10V, va la resistencia de 20KΩ que ira conectado a la base del transistor. Luego del terminal colector ira una resistencia de 220Ω seguido de la fuente VCC que se ira regulando desde 0V a 15V. Los terminales negativos de la fuente VCC y VDD irán conectados al terminal Emisor deltransistor, cerrando así el circuito.

Figura. 4
Diagrama del circuito; Transistor NPN
(Fuente; Autor)
Cálculos del Circuito
Para realizar los cálculos se impusieron los valores de las resistencias de base y colector. En esta ocasión se realizara un solo calculo y se dejara planteada la ecuación de Ib e Ic ya que los valores de VDD y VCC irán variando, el cual serán las mismas...