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NOTAS DE CLASE









Transistores de Potencia














































Edición 2010

Índice

1. Introducción. ............................................................................................ 3
2. Caracterización de los transistores de potencia - el transistor bipolar..... 42.1 Generalidades..................................................................................................................... 4
2.2 Parámetros máximos .......................................................................................................... 4
2.2.1 Corriente máxima de colector ..................................................................................... 42.2.2 Tensiones de ruptura ................................................................................................... 4
2.3 Curvas de primera ruptura ................................................................................................. 6
2.4 Curva de potencia máxima................................................................................................. 72.5 Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria ................................ 7
2.5.1 Segunda ruptura con polarización directa base-emisor ............................................... 7
2.5.2 Segunda ruptura con polarización inversa base-emisor .............................................. 8
2.5.3 Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarización debase-emisor directa e inversa. ..................................................................................................................... 10
2.5.4 Curvas de potencia máxima y segunda ruptura......................................................... 10
2.6 Área de operación segura (SOA) ..................................................................................... 11
2.7Área de operación segura para polarización directa (Forward Bias Safe Operating Area - FBSOA) ..................................................................................................................................... 11
2.8 Observaciones sobre las curvas de potencia máxima: ..................................................... 12
3. Caracterización de los transistores de potencia- el transistor MOSFET 13
3.1 Parámetros máximos ........................................................................................................ 13
3.1.1 Corriente de drenaje .................................................................................................. 13
3.1.2 Tensión de ruptura drenaje-fuente ( V( BR ) DSS
)...................................................... 13
3.1.3 Tensión máxima (absoluta) compuerta-fuente .......................................................... 13
3.2 Resistencia en conducción drenaje-fuente,
R DS (ON ) (Drain-Source ON Resistance)... 14

3.3 Tensión drenaje-fuente en conducción
V DS (ON ) ..................................................... 15
3.4 Diodo inverso................................................................................................................... 15
3.4.1 Corriente continua de drenaje inversa –

3.4.2 Corriente de drenaje pulsante inversa –
I DR ........................................................... 15
I DRM ......................................................... 16
3.4.3 Tensión de conducción directa del diodo.................................................................. 16
3.5 Área de operación segura ................................................................................................. 16

3.5.1
Área de operación secura en dolarización directa - FBSOA..................................... 16

3.5.2
Área de operación secura en conmutación – SSOA.................................................. 17
4....