Diodo Láser

Diodo Láser
Brandon Adrián Ortega Ramírez
Fabián Hernández Ramírez
Santander Sánchez Nalleli Lucila
José Tomás Gutiérrez Morales
José Abraham Peña Ornelas

EMISIÓN ESTIMULADA

EsquemaGeneral de un Láser

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Mismo principio de funcionamiento
Niveles energéticos de transición: BV y BC
Juntura PN
Electrones en BC “decaen” y se
recombinan liberando un fotón

DIODOLÁSER



Emisión de Luz
◦ Recombinación de e- de la BC con h+ de la BV,
produciendo emisión de luz hv=Eg
λ=hc/Eg



Requisitos de Funcionamiento
◦ e- en BC y h+ en BV
◦ Gap Directo
◦ Egadecuada

FUNCIONAMIENTO





Este diodo es un dispositivo
semiconductor que emite luz láser
coherente. Básicamente es un bloque de
material semiconductor que contiene una
union P-N,las regiones P y N se
encuentran muy densamente dopadas y
con una estructura interna compleja que
se hace funcionar a modo de diodo para
producir un efecto láser.
En estos materiales el efectoláser ocurre
gracias a las bandas de energia del cristal
que se consideran como un todo.



Recombinación de e- de la banda de
conducción con h+ de la banda de
valencia, produciendo una emisionde luz
hv

Bandas de energía para diodos
semiconductores

Diferentes estructuras
del diodo LASER

Todos los diodos son, en esencia,
estructuras de varias capas, formadas por
varios tiposdiferentes de material
semiconductor. Los materiales son
contaminados con impurezas por medio de
químicos, para darles ya sea un exceso de
electrones (Tipo N) o un exceso de
vacantes de electrones(Tipo P).

Estructura

Los diodos láser que emiten en la región
0.78 a 0.9 micrón, están formados por
capas de arseniuro de galio (GaAs) y
arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs)
desarrolladosobre un subes trató de GaAs.

DL de región 0.78 a 0.9 micrón

Los dispositivos para longitud de onda
mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones,
se fabrican con capas de arseniuro fosfuro...