Diodo Schottky Barrera
Páginas: 3 (715 palabras)
Publicado: 23 de marzo de 2015
EL DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA
Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altasvelocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia delcontacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes delefecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según loindicado en la figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y elsemiconductor, el cátodo.
Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo
Schottky.
En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductortipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura.
Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo
Schottky.
Se puede observar que solamente loselectrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendonecesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de
0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para...
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA
Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altasvelocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia delcontacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes delefecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según loindicado en la figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y elsemiconductor, el cátodo.
Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo
Schottky.
En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductortipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura.
Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo
Schottky.
Se puede observar que solamente loselectrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendonecesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de
0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para...
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