Diodo

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO
DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

NOMBRES: ___________________________________
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PRÁCTICA No 1
EL DIODO SEMICONDUCTOR

OBJETIVO:

Medir la característica I-V de un diodo
Determinar la curva característica del diodo semiconductor.
Obtener latensión umbral de distintos diodos.

CONCEPTOS:

Curvas características, tensión umbral, punto de trabajo y recta de carga en un diodo.
Polarización directa e inversa del dispositivos.ESQUEMA DE MONTAJE:

El esquema del montaje eléctrico para polarizar un diodo es el que se muestra en la figura.

[pic]

El funcionamiento básico es el siguiente:
Si la tensión proporcionada por lafuente es positiva (tomando como referencia el símbolo en el esquema) y supera la tensión umbral de diodo, entonces el diodo conduce y circula intensidad por el circuito.
Si la tensión proporcionadapor la fuente es negativa, entonces el diodo no conduce y por tanto no circula intensidad por el circuito.
La resistencia tiene como misión limitar la máxima corriente que pueda circular por elcircuito, debe calcularse para que nunca se supere la máxima intensidad que el diodo es capaz de soportar.

PROCEDIMIENTO:

Como práctica se pretende medir la característica intensidad-tensión dedistintos diodos y obtener su tensión umbral de conducción. Básicamente, para obtener la curva característica de un diodo se necesita hacer circular distintas intensidades por el circuito del esquemaanterior y medir la tensión en los extremos del diodo.

POLARIZACIÓN DE UN DIODO. CARACTERISTICAS I-V

1 Obtención de la tensión umbral de un diodo de Silicio

Con la región de las características I-Vcorrespondiente a tensión de polarización positiva en el diodo se puede obtener la tensión umbral de conducción.

Para obtener esta región de la característica I-V, los pasos a seguir son:...