Diodo

Diodo
Es el mas sencillo de los dispositivos semiconductores

Introducción
• Aun que se diga que el Diodo es el dispositivo semiconductor mas sencillo, la información aquí mostrada es poca, al tratar de abarcar a grandes rasgos los diferentes tipos de Diodos y sus características mas importantes.

El Diodo
Es un dispositivo electrónico formado por la unión de dos MaterialesSemiconductores, uno llamado tipo P y otro tipo N. ¿Pero que es un Semiconductor? El prefijo Semi suele aplicarse al rango situado a la mitad entre dos limites. El termino Conductor es todo aquel material que soporte un flujo generoso de electrones.

Semiconductor
• Es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

AislanteSemiconductor

Conductor

Materiales Semiconductores
• Los Materiales Semiconductores mas usados para la fabricación de dispositivos electrónicos son el Germanio (Ge) y el Silicio (Si), siendo este ultimo el mas utilizado por su estructura atómica, estos materiales se obtienen a través de procesos Físico - Químicos con un grado de impureza de 1 por cada 10 mil millones llamándolos MaterialesIntrínsecos.

Materiales Extrínsecos tipo P y N
• Cuando a un Material Intrínseco se le agrega impurezas aunque solo sea añadida 1 parte en 10 millones puede alterar las propiedades eléctricas de un material, a este proceso se le denomina dopado y produce un Material Extrínseco, para el estudio del diodo existen dos Materiales Extrínsecos de gran importancia el tipo P y el tipo N.

MaterialSemiconductor tipo P
• Este se obtiene mediante el dopado de un Material Intrínseco con átomos de impureza que posean en su estructura atómica tres electrones de valencia, los mas utilizados son el boro, galio e indio a estos se les conoce como átomos aceptores.

Material Semiconductor tipo N
• Este se obtiene mediante el dopado de un Material Intrínseco con átomos de impureza que posean en suestructura atómica cinco electrones de valencia (pentavalentes), los mas utilizados son el antimonio, arsénico y fósforo, a estos se les conoce como átomos donadores.

Unión P-N
Como se dijo en un principio al juntar un material tipo P con un material tipo N se forma el diodo semiconductor, al momento de la unión los electrones mas cercanos del material N pasan al material P creando la región deagotamiento y al mismo tiempo evitando que se sigan pasando mas electrones dando como resultado una pequeña diferencia de potencial siendo para el Germanio (Ge) de .3 volts y para el Silicio (Si) .7 volts como se muestra en la figura. Al material N se dice que tiene exceso de electrones . Al material P se dice que tiene exceso de huecos. La región de agotamiento esta equilibrada tanto de huecos comode electrones por así decirlo.

Tipos de diodos

Diodo de barrera Schottky

Existen varios dispositivos que tienen la unión P-N, estos dispositivos difieren gracias a su construcción física la cual hace variar su curva característica, haciéndolos mas eficientes para trabajar en diferentes condiciones, como por ejemplo: su respuesta a la frecuencia, su capacidad de carga (su potencia), susensibilidad a la temperatura, su sensibilidad a la luz, trabajando ya sea en polarización directa o polarización inversa por mencionar algunos tenemos:

Diodo Zener

Diodos varactores

Foto Diodos

Diodos

Diodos de potencia

Diodos emisores de luz

Diodos Túnel

Curva característica del diodo
• Tensión de umbral de polarización directa (Vγ). Se le llama al voltaje necesario pararomper la barrera de potencial creado por la unión de los materiales tipo P y tipo N (región de agotamiento) y los electrones puedan circular libremente .3 volts para Ge y de .7 volts para el Si. Corriente máxima (Imax). Se le llama a la corriente que es capaz de soportar el diodo sin fundirse. Corriente inversa de saturación (Is). Es la corriente generada por los portadores minoritarios de...