diodos semiconductores

Páginas: 6 (1274 palabras) Publicado: 21 de abril de 2014

Electrónica
Laboratorio Nº 02
“Diodos Semiconductores”
INFORME
Integrantes:
Apellidos y Nombres
Sección
Grupo
Ayra Arrieta Dennis D.
C
C-11-02
Castillo Moreno Daniel
C
C-11-02
Vicuña Herrera Brandon
C
C-11-02

Sección: C11-2-C
Profesor: Luis Campusano Quispe
2014 – I
INTRODUCCIÓN
Un diodo semiconductor (del griego "dos caminos") es un dispositivo que permite elpaso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este comportamiento,se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal,con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes.

Clases de diodos por su material de fabricación:
Silicio
Soporte alto.
Soporta alta corriente y Tº.
Requiere de 0.6 a 0.7 v para polarizarse directo.
Germanio
Bajo soporte.
Soporta poca corriente y Tº.
Requiere 0.3 v.


OBJETIVOS
Identificar los tipos de diodos semiconductores.
Identificar el ánodo y cátodo delos diodos.
Comprobar el estado del diodo si esta polarizado directa o inversa, detectando fallas.
Medir las formas de las ondas de entrada y salida en un circuito, utilizando el osciloscopio.
Trabajar en equipo y aplicar las normas de seguridad que se debe respetar en cada clase.

MATERIALES

Osciloscopio de dos canales.
Generador de funciones.
Fuente de alimentación 5VDC, 12VDC.Multímetro.
Protoboard.
Diodos de Silicio (1N4007) y Germanio (ECG 109).
Diodos de conmutación (sw) 1N4148.
Diodo Zerner (1N 4733A).
Diodo LED (ECG 3007).
Resistencias de330Ω1/2w y 1K Ω1/2W.






PROCEDIMIENTO

1N4007



1N4148



ECG 109 o NTE 109


1N4733A


ECG3007


Parte ll: Prueba de Diodos Semiconductores.

a) Polarización Directa
b) PolarizaciónInversa

0,563
0l

Hicimos las pruebas de medición para cada uno de los diodos indicados en la tabla 1.


Prueba de Polarización
Diodo de Germanio ECG 109
Diodo de Conmutación 1N4148
Diodo Led ECG 3007
Diodo Zerner 1N4733
Directa
0,317
0,563
0,723
0.7
Inversa
OL
OL
OL
OL


Parte lll: Circuito con Diodos Semiconductores.



1. Medición del voltaje en losextremos del diodo y la resistencia.

Voltaje de la Fuente DC
Voltaje en el Diodo
Voltaje en la Resistencia
Calculo de la corriente en la resistencia
12
0.701
11,37
11.37



2. Invertimos la polaridad del diodo y realizamos las mediciones.

Voltaje de la Fuente DC
Voltaje en el Diodo
Voltaje en la Resistencia
Corriente en la resistencia
12
12.07
0
0

3. Comente losResultados obtenidos:

4. En el circuito mostrado:



5. Anotamos lo que vemos en dicho circuito:

¿Qué observa en el Diodo LED?
La luz está encendida.
¿Qué corriente que pasa por el Diodo?
63 mA
¿Qué sucede cuando invertimos el Diodo LED?
La luz se apaga.



Parte lV: Comportamiento dinámico con señal alterna del diodo.


1. Implementamos el Diodo de conmutación1N4148, en el circuito mostrado.
2. Obtención de señal cuadrada de 10vppa una frecuencia de 1kHz.



3. Conectamos el canal CH1 en paralelo con el Generador punto (B) y el canal CH2 (A) en paralelo a la resistencia R1.
4. Gráfica obtenida en el osciloscopio (los canales deben de estar en escala de 5Volt/div y CH2 con selectos DC.

Forma de onda de la señal ENTRADA (CANAL CH1)....
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