Diodos

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE IRAPUATO

Ing. Electrónica
Diodos y transistores
Practica 1: Características del diodo semiconductor
Equipo:
* Omar Olivarez Hernández
* José Eduardo Ortega Castillo
* Christian Iván Graciano Hernández
Prof. José Juan Alfaro Rodríguez
Miércoles 5 de septiembre 2012
INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE IRAPUATO

Ing. Electrónica
Diodos ytransistores
Practica 1: Características del diodo semiconductor
Equipo:
* Omar Olivarez Hernández
* José Eduardo Ortega Castillo
* Christian Iván Graciano Hernández
Prof. José Juan Alfaro Rodríguez
Miércoles 5 de septiembre 2012

CARACTERISTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR
OBJETIVO
Comprender el funcionamiento del diodo semiconductor y así mismo obtener la curva característica mediantela polarización de ambos polos y esto con la medición de su voltaje y corriente en sus respectivas terminales.
MATERIAL Y EQUIPO REQUERIDO:
Equipo
* 2 multimetros
* 1 fuente de 0-20 Vdc

Herramientas
* 1 pinza de corte
* 1 pinza de punta
* 1 plantilla experimental
* 4 caimanes
Material
* 1 diodo 1N4001
* 1 resistencia de 1K, 1/2W

INTRODUCCION:El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.
Viendo el símbolo del diodo en el gráfico anterior( A - ánodo, K - cátodo)
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera ounión.
Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados allado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y loshuecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no haycorriente
El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes
Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo.
En este caso la corriente atraviesa el diodo con muchafacilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.
Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo.
En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente como uncircuito abierto.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, ésto quiere decirque el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto en polarización directa como en polarización inversa.
DESARROLLO:
1. Conectando el diodo en serie con la resistencia, como indica la figura 1, aplique el voltaje variable al conjunto polarizando directamente al diodo. De las variaciones de voltaje de acuerdo a la siguiente tabla.

V (v) | VD (v) |ID (mA) |
0 | 0 | 0 |
0.1 | 0.085 | 0.1µ |
0.2 | 0.221 | 0.2µ |
0.3 | 0.361 | 2.8µ |
0.4 | 0.390 | 25.2µ |
0.5 | 0.448 | 65.3µ |
0.6 | 0.498 | 112.8µ |
0.7 | 0.506 | 161.3µ |
0.8 | 0.525 | 205.5µ |
0.9 | 0.543 | 257.6µ |
1 | 0.562 | 319.7µ |
2 | 0.599 | 965µ |
5 | 0.650 | 2876µ |
10 | 0.684 | 9.38 |
15 | 0.703 | 14.41 |
20 | 0.716 | 19.54 |

2.- Disminuya...