Diodos

El Diodo

Semiconductores.
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de algunas condiciones externas a las que puede ser sometido.

Semiconductores.
El Silicio, Germanio y carbono tienen una propiedad única en su estructura atómica: tienen 4 electrones de valencia. Esto permite que se formen cristales a trabes de enlaces covalentes.Semiconductores.
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan ( aunque sean compartidos ) con cada átomo, gracias a esta característica los enlaces covalentes son de una gran solidez.

Semiconductores.
Paraaumentar la conductividad de un Semiconductor, se le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un Semiconductor intrínseco (puro). Un Semiconductor dopado es un semiconductor extrínseco.

Semiconductores.
Caso 1 Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5.

Semiconductores.
Caso 2 Impurezas de valencia 3 (Aluminio,Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3.

Semiconductores.
Semiconductor tipo n Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".Semiconductores.
Semiconductor tipo p Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

Diodo.

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal formaque una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unión pn tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas forman los "Diodos".

Diodo.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.Polarización directa.

Dolarización inversa.

Curva Característica.

Características comerciales.
- Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. - Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que seproduce el fenómeno de ruptura por avalancha. - Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. - Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa - Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se haseñalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante la gráfica I-V del dispositivo.

Forma Física.

Prueba de Diodos con multimetro.
- Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja), elpropósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo (esto es lo que hace cuando mide resistencias). Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado en directo funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser). Si esta resistencia es muy alta, puede ser síntoma de que el diodo está "abierto" y tenga que ser reemplazado. - Se...