Diseño De Circuitos

Puntos: 0.33/1
En el modelo de pequeña señal de un MOSFET
Seleccione al menos una respuesta.
| a. Las expresiones de cálculo de los parámetros del modelo de pequeña señal es idéntica en cualquiera de las regiones de operación del transistor | |
| b. Las capacidades presentes en el modelo se calculan de manera diferente a las que intervienen en el comportamiento dinámico del transistor ||
| c. Cuando el sustrato no se encuentra polarizado, el valor de gmbs es nulo | |
| d. Los parámetros del modelo de pequeña señal dependen del punto de polarización del transistor | |
| e. A pesar de que no se aplique ninguna pequeña señal entre el sustrato y la fuente, siempre hay que considerar en el cálculo de la corriente de pequeña señal el efecto de gmbs | |
| f. Cuando setrata de señales de baja frecuencia, los condensadores del modelo de pequeña señal pueden eliminarse | |
| g. En corte, todos los parámetros del modelo son nulos | |
Correcto

Question2
Si la tensión umbral a tensión nula de un PMOS con un espesor de óxido de 80nm vale -0.7V, la carga superficial (iones/cm2) que hay que implantarle para que pase a ser de -0.35V es:
Seleccione unarespuesta.
| a. 2.31E11 | |
| b. 4.48E11 | |
| c. -2.31E5 | |
| d. -8.41E16 | |
| e. -9.57E10 | |
Correcto

Question3
Si la primera fila de la tabla inferior representa la corriente que circula por el canal de un MOSFET cuyo comportamiento se ajusta a un modelo analítico y tiene una tensión umbral de 0.8V, el valor incógnita de corriente de la segunda fila es:

Seleccione unarespuesta.
| a. 656 | |
| b. Ninguno de los mostrados | |
| c. 331 | |
| d. 528 | |
| e. 1450 | |
Correcto

Question4
Si nos referimos a la tensión umbral de un MOSFET
Seleccione al menos una respuesta.
| a. La polarización de sustrato de un PMOS siempre hace su tensión umbral menor que cuando no se polariza el sustrato | |
| b. Las cargas en el interfase sólo aparecencuando se introducen de forma deliberada mediante implantación iónica | |
| c. La implantación de cargas negativas en el interfase en un NMOS aumenta su valor de tensión umbral | |
| d. La implantación de cargas negativas en el interfase de un PMOS disminuye su tensión umbral | |
| e. El efecto de cuerpo en los PMOS tiene signo negativo | |
| f. El efecto de cuerpo esindependiente del espesor de la capa de óxido | |
Correcto

Question5
Si se conectan los terminales de fuente, drenador y sustrato de un PMOS a una misma tensión de referencia y se varía la tensión en puerta
Seleccione al menos una respuesta.
| a. Tensiones negativas en la puerta hacen disminuir progresivamente el espesor de la región agotada | |
| b. Tensiones positivas en la puerta puedenllegar a producir la formación de canal (inversión), si éste no existe a tensión nula de puerta | |
| c. La carga de la región agotada, ante cualquier tensión de puerta, es positiva | |
| d. Cuando la puerta se pone también a la tensión de referencia, no se produce región agotada bajo el óxido de puerta | |
| e. La carga total por unidad de área de la región agotada, una vez alcanzada lainversión, depende sólo del dopado del sustrato y es independiente de la temperatura | |
| f. Tensiones positivas respecto a dicha tensión de referencia produce una acumulación de portadores mayoritarios bajo el óxido de puerta | |
| g. La carga correspondiente a la región agotada se incrementa progresivamente siempre que la tensión en la puerta se hace más y más negativa | |
CorrectoQuestion6
Si en la tabla inferior ambas filas corresponden a una situación de estrangulamiento de un MOSFET, el coeficiente de modulación de longitud de canal es:
Seleccione una respuesta.
| a. Ninguno de los mostrados | |
| b. 0.015 | |
| c. 0.02 | |
| d. 0.04 | |
| e. 0.05 | |
Correcto

Question7
Puntos: 0.33/1
Si nos referimos a las capacidades de óxido de un MOSFET...