Dispositivos de disparo

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El transistor uniunión programable PUT.

El transistor PUT (Programable Uni-Juntion Transistor) es un dispositivo PNPN de cuatro capas, con tres terminales: cátodo K, ánodo A y compuerta G. En laFigura 1 se muestra el esquema y el símbolo del PUT. Aunque tiene nombre similar al transistor uniunión, la constitución y funcionamiento del transistor PUT difieren enormemente del transistor uniunión(UJT). Las características de transferencia de los dos dispositivos son muy parecidas y es la razón de la similitud entre los nombres.

Figura 1) Esquema ysímbolo del transistor PUT

La programabilidad del dispositivo permite controlar los parámetros RBB y VP, que en el dispositivo UJT son fijos. La disposición básica para su polarización se muestra en laFigura 2.


Figura 2) Circuito básico de polarización del PUT

Asumiendo que la corriente de compuerta es muy pequeña ytiende a cero (IG = 0), puede obtenerse la siguiente expresión:

VGA = VBB * RB2RB1+RB2 = ηVBB

donde : η = RB2RB1+RB2

En la siguiente figura 3 se muestra la curva característica deltransistor PUT


Figura 3) Curva característica del transistor PUT

En las características del transistor PUT pueden distinguirse tresregiones:
 La región de corte (IBAJA < IP y 0 < V < VP).
 La región de conducción (I > IV y V > VV).
 La región de inestabilidad que las separa.

Como en el transistor UJT elpotencial de disparo necesario VP para activar el dispositivo es:
VP = η VBB + VAG
VP = η VBB + 0.7

La principal diferencia entre los transistores PUT y UJT estriba en que las resistencias RB1 yRB2 son resistencias internas del UJT, sin posibilidad de variación, mientras que en el transistor PUT estas resistencias se encuentran conectadas exteriormente y pueden variarse.
Aunque las...
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