Dispositivos Semiconductores
Páginas: 17 (4012 palabras)
Publicado: 17 de abril de 2013
16 Abril 2013
Carrera: Mecatrónica
Materia: Electrónica Analógica
Titulo: Dispositivos Semiconductores
Profesor: Ing. Guillermo Urrutia Beall
Integrantes del equipo:
Rubèn Torres Màrquez
Ricardo Clemente Alvarez Valenzuela
Ossiel Alfredo Soto Ramirez
Juan Carlos Lòpez Perez
Indice
1) Introducciòn
2) Diodos semiconductores
3) Tipos dediodos y sus aplicaciòn
4) Transistores y su aplicaciòn
5) Tiristores y su aplicaciòn
6) Fotografias
7) Fuentes de Informaciòn
Introduccion
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.
En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones).
En lossemiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos).
Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc.
Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos,dependiendo de la impureza introducida.
Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro,
No existen electrones ni huecos libres
DIODO
Es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación dela corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.
La intensidad de corriente siempre circulara desde el ánodo hasta el cátodo.
El diodo solo conducirá corriente cuando la tensión en el cátodo es menor a la del ánodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como uncircuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.
Curva característica del diodo
Tensión umbral, decodo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa superala tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño delmismo.
Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), estacorriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado...
Carrera: Mecatrónica
Materia: Electrónica Analógica
Titulo: Dispositivos Semiconductores
Profesor: Ing. Guillermo Urrutia Beall
Integrantes del equipo:
Rubèn Torres Màrquez
Ricardo Clemente Alvarez Valenzuela
Ossiel Alfredo Soto Ramirez
Juan Carlos Lòpez Perez
Indice
1) Introducciòn
2) Diodos semiconductores
3) Tipos dediodos y sus aplicaciòn
4) Transistores y su aplicaciòn
5) Tiristores y su aplicaciòn
6) Fotografias
7) Fuentes de Informaciòn
Introduccion
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.
En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones).
En lossemiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos).
Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc.
Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos,dependiendo de la impureza introducida.
Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro,
No existen electrones ni huecos libres
DIODO
Es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación dela corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.
La intensidad de corriente siempre circulara desde el ánodo hasta el cátodo.
El diodo solo conducirá corriente cuando la tensión en el cátodo es menor a la del ánodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como uncircuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.
Curva característica del diodo
Tensión umbral, decodo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa superala tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño delmismo.
Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), estacorriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado...
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