EL DIODO

EL DIODO
Los dispositivos de  estado sólido, tales como los diodos de juntura y los transistores se fabrican de materiales semiconductores. Estos materiales tienen propiedades eléctricas que selocalizan entre la de los conductores y la de los aislantes.  Los principales semiconductores utilizados son el germanio y el silicio, que adquieren la forma cristalina al encontrarse puros y tienencuatro electrones de valencia (órbita externa).
Para lograr un dispositivo semiconductor útil, se le agrega al cristal semiconductor puro una pequeña cantidad de otro elemento denominado impureza; a éstatécnica se le llama “dopado”.  Los átomos de la impureza tienen 5 o 3 electrones de valencia.
Al dopar el cristal, se forman uniones covalentes entre los impuros y los puros en los cuales sobrará unelectrón de valencia (átomos de 5 electrones) o un hueco (átomos de 3 electrones) en la vecindad del átomo de impureza. Las impurezas que contribuyen con electrones se llaman “donadoras” y al cristal asíformado se le denomina tipo N.  Los que contribuyen con huecos se les llama “aceptadores”  y al cristal formado se le denomina tipo P.  
Si un material tipo P y otro de tipo N se juntan mecánicamentepara formar un único cristal, esa juntura se llama juntura PN o diodo de juntura. 
Durante la difusión, se produce un campo eléctrico debido a los iones negativos y positivos recientemente creados enlas caras opuestas de los materiales.  En esta zona se crea una diferencia de potencial que se llama “barrera de potencial” y que es igual a 0,3 voltios para el germanio y 0,7 V para el silicio atemperatura ambiente. 
Al aplicarse un voltaje que anule la zona de transición, se polariza directamente el diodo (positivo a P y negativo a N) se crean dos corrientes, una de electrones y otra dehuecos  mayoritarios creando una corriente directa If, como se indica en la figura.  Al polarizarse inversamente se aumenta la zona de transición y solo fluye una pequeña corriente llamada corriente...