El Mosfet De Empobrecimiento Y Enrrequesimiento
Páginas: 2 (492 palabras)
Publicado: 4 de diciembre de 2012
El FET de semiconductor Oxido-metal, o MOSFET (del ingles Metal-Oxide Semiconductor FET), tiene una Fuente, puerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta esta aislada erétricamenteDel canal. Por esta causa, la corriente de puerta es incluso menor que en un FET. El MOSFET frecuentemente se llama IGFET, que quiere decir FET de puerta aislada (del ingles insulated-gate FET).Existen dos tipos de MOSFET, el de empobrecimiento y el de enriquecimiento. Aparte de algunas
Aplicaciones especificas, el MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco.
El MOSFET de enriquecimiento seusa mucho, tanto en circuitos discretos como integrados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia, que significa conectar y desconectar corrientes grandes. En circuitos integradossu uso principal es en conmutación digital, proceso básico que fundamenta los ordenadores modernos.
EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO’. .
MOSFET de empobrecimiento, también Denominado MOSFET dedeplexión. Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde
La fuentehacia el drenador deben pasar a través del estrecho canal entre la
Puerta y la zona p.
EL MOSFET DE ENRlQUEClMlENTO
El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evoluci6n hacia el MOSFET
Deenriquecimiento (tarnbién llamado MOSFET de acumulación). Sin
El MOSFET de enriquecimiento no existirían los ordenadores personales,
Tan empleados hoy en dia.
La idea básica
En la Figura 14-3a sepresenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p
Se extiende a lo ancho hasta el dioxido de silicio. Como se puede ver, ya
No existe un canal n entre la fuente y el drenador. ¿com0 funciona? LaFigura 14-3b muestra' las tensiones de polarizaci6n normales. Cuando la
tensión de puerta es nula, la comente entre la fuente y el drenador es nula
Un MOSFET de enriquecimiento para pequeña...
Aplicaciones especificas, el MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco.
El MOSFET de enriquecimiento seusa mucho, tanto en circuitos discretos como integrados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia, que significa conectar y desconectar corrientes grandes. En circuitos integradossu uso principal es en conmutación digital, proceso básico que fundamenta los ordenadores modernos.
EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO’. .
MOSFET de empobrecimiento, también Denominado MOSFET dedeplexión. Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde
La fuentehacia el drenador deben pasar a través del estrecho canal entre la
Puerta y la zona p.
EL MOSFET DE ENRlQUEClMlENTO
El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evoluci6n hacia el MOSFET
Deenriquecimiento (tarnbién llamado MOSFET de acumulación). Sin
El MOSFET de enriquecimiento no existirían los ordenadores personales,
Tan empleados hoy en dia.
La idea básica
En la Figura 14-3a sepresenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p
Se extiende a lo ancho hasta el dioxido de silicio. Como se puede ver, ya
No existe un canal n entre la fuente y el drenador. ¿com0 funciona? LaFigura 14-3b muestra' las tensiones de polarizaci6n normales. Cuando la
tensión de puerta es nula, la comente entre la fuente y el drenador es nula
Un MOSFET de enriquecimiento para pequeña...
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