Elctronica De Potencia

Que es un transistor de potencia
Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la bcc que se puede obtener en su fabricación suele ser bastante menor que en los de baja potencia (bcc = 20 ÷ 100).
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia esidéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
* bipolar.
* unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
* IGBT.
Parámetros | MOS | Bipolar |
Impedancia de entrada | Alta (1010 ohmios) |Media (104 ohmios) |
Ganancia en corriente | Alta (107) | Media (10-100) |
Resistencia ON (saturación) | Media / alta | Baja |
Resistencia OFF (corte) | Alta | Alta |
Voltaje aplicable | Alto (1000 V) | Alto (1200 V) |
Máxima temperatura de operación | Alta (200ºC) | Media (150ºC) |
Frecuencia de trabajo | Alta (100-500 Khz) | Baja (10-80 Khz) |
Coste | Alto | Medio |

Transistores debaja potencia
Se le llama transistor de baja potencia, o pequeña señal, al transistor que tiene una intensidad pequeña (IC pequeña), lo que corresponde a una potencia menor de 0,5 W. En este tipo de transistores interesará obtener cc grandes (cc = 100 ÷ 300).

Transistores de potencia
Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), loque corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la cc que se puede obtener en su fabricación suele ser bastante menor que en los de baja potencia (cc = 20 ÷ 100).

Dispositivos comerciales

Los transistores BJT se comercializan mediante nombres codificados, por ejemplo BC548, BC557, 2N3055, etc... Tienen diferencias constructivas que definen las característicaseléctricas tales como los valores máximos soportados de potencia, tensión, la ganancia de corriente, variación con la temperatura, etc... Además se diferencian en la forma del encapsulado, la posición de los pines, tamaño, etc...
Toda esta información, suele resumirse en lo que se llama una hoja de datos (datasheet)

Parámetros característicos del transistor

En este capítulo, se exponen losprincipales parámetros que se utilizarán para el trabajo con transistores.
Parámetro α
El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

Así por ejemplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variación de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos defuncionamiento, y una variación de 8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en la mayor parte de los transistores el valor del parámetro α se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor
La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y colector mucho más elevadas,indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. Así, la ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la corriente base.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variación de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en lacorriente de base, la ganancia será:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de unos a otros. Así, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una β de tan sólo 20. Por otro lado, los transistores de pequeña señal pueden llegar a tener una β de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50 y...