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ELECTRONICA INDUSTRIAL
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CURSO DE

CURSO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL

TEORIA

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SISTEMAS DE POLARIZACIÓN
Dos son los sistemas de polarización empleados en los equiposelectrónicos; estos son: a) Sistemas de polarización fija b) Sistema de polarización universal

DIVISORES DE TENSIÓN:
Son circuitos formados por resistencias en serie, que permiten obtener cualquier valor de tensión comprendido entre cero volts y el voltaje máximo proporcionado por la fuente de poder.

SISTEMA DE POLARIZACIÓN FIJA:
En este sistema el divisor de tensión se forma entre Rb y lazona diodica base / emisor del transistor. Este sistema de polarización tiene la ventaja de no proteger al transistor contra los aumentos de la corriente de pérdidas Iceo. Sin embargo, se le emplea como sistema de polarización para transistores de silicio, puesto que estos tienen corrientes de pérdida muy bajas con respecto a los de germanio.

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SISTEMA DEPOLARIZACIÓN UNIVERSAL:
Este tipo de polarización emplea un divisor de tensión resistivo que permite reducir e voltaje de la fuente (+B o -B) al adecuado para polarizar a la base del transistor. Este sistema de polarización presenta dos ventajas fundamentales respecto al sistema de polarización fija; estas son: 1) Estabilidad térmica frente a los aumentos de la corriente de pérdidas Iceo. 2) Nose modifica apreciablemente la polarización cuando se reemplaza el transistor por otro que no posea el mismo factor HFE, puesto que la polarización de base no depende del diodo base emisor, sino que del divisor de tensión.

CARACTERÍSTICAS DEL CIRCUITO.R1 Y R2 forman el divisor de voltaje que polariza a la base. R4 es la resistencia de carga donde se desarrolla la señal R3 es la encargada delograr la regulación electrónica de la temperatura del transistor.

EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LOS TRANSISTORES.Los transistores al ser recorridos por una corriente eléctrica (cuando conducen) disipan cierto grado de temperatura. Esta temperatura será mayor mientras mayor sea la conducción del transistor. El problema está, en que estos aumentos de temperatura que se producen en el mismo, originanrupturas en las ligaduras covalentes. Esta situación trae por consecuencia una gran liberación de electrones libres o de lagunas (según sea el tipo de cristal). Este efecto produce una reducción de la resistencia del transistor (Rc-e), razón por la cual se incrementa la conducción del transistor, lo que provoca un nuevo aumento de la temperatura del mismo. De esto se deduce que llegará un momentoen que la temperatura será lo suficientemente alta como para destruir al transistor. Este problema justifica a necesidad de disponer de sistemas que protejan a los transistores de los aumentos excesivos de la temperatura. Los más usados en la actualidad son: 1) Los sistemas de regulación electrónica 2) Los disipadores metálicos de temperatura

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El primerode los sistemas nombrados actúa solamente sobre la componente continua que fluye a través del transistor y no sobre la señal que el transistor amplifica.

Del circuito planteado se puede hacer el siguiente análisis: un aumento de temperatura hace aumentar la conducción del transistor y por lo tanto la caída de tensión en R3 también aumenta. Esto determina que la polarización base / emisor se hagamenor. Al disminuir la polarización base / emisor, disminuye la conducción del transistor y por lo tanto, la temperatura. En términos prácticos, la intensidad de emisor (intensidad que circula por R3) es igual a la suma de las intensidades de base y colector)

Ie = Ib + Ic
Donde: Ie= Intensidad de emisor Ib = Intensidad de base Ic= Intensidad de colector. Otro componente que también...