Electronica
2.- HISTORIA DEL PROGRAMA Lugar y fecha de elaboración o Participantes revisión Instituto Tecnológico Representantes de las de Culiacán del 14 al academias de 18 de Junio de 2004 Ingeniería Mecánica de los InstitutosTecnológicos.
Observaciones (cambios y justificación) Reunión Nacional de Evaluación Curricular de la Carrera de Ingeniería Mecánica.
Instituto Tecnológico Academia de Ingeniería Análisis y enriquecimiento de de Culiacán, Delicias y Mecánica. las propuestas de los Tlalnepantla programas diseñados en la reunión nacional de evaluación Instituto Tecnológico Comité de Definición de los programas dePachuca del 8 al 12 Consolidación de la de estudio de la carrera de de noviembre de 2004. carrera de Ingeniería Ingeniería Mecánica . Mecánica.
3.- UBICACIÓN DE LA ASIGNATURA. a).- Relación con otras materias del plan de estudios
Anteriores Asignaturas Física III Temas Inductancia magnética
Posteriores Asignaturas Sistemas digitales Temas Análisis y diseño de circuitos combinatorios yaplicación de la tecnología SSI y MSI Análisis de los circuitos secuenciales y aplicación de la tecnología MSI y LSI en el armado de los sistemas digitales
b) Aportación de la Asignatura al perfil del egresado. • Conocimientos para seleccionar, instalar, controlar alimentar y mantener sistemas electrónicos.
4.- OBJETIVO(S) GENERAL(ES) DEL CURSO. Seleccionará dispositivos electrónicosindustriales, conforme al desarrollo tecnológico para su uso en sistemas mecánico. 5.- TEMARIO Unidad Temas 1 Semiconductores Subtemas Materiales extrínsecos P y N. Unión PN. Polarización directa. Polarización Inversa. Curva característica tensión-corriente. Diodo ideal y diodo real. Características y aplicaciones de los diodos. Características y funcionamiento del transistor BJT. Polarización de circuitosbásicos de
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 2.1 2.2
2
Transistores BJT, FET y MOSFET
2.3 2.4 2.5 2.6
3
Tiristores.
3.1 3.2
3.3 3.4 3.5 3.6 4 Amplificadores operacionales y timers 555 3.7 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8
amplificación con transistores BJT: Amplificación con transistores BJT. Conmutación con transistores BJT. Características, funcionamiento y aplicación deTransistores de Efecto de Campo (FET). Características, funcionamiento y aplicación de Transistores de Efecto de Campo de semiconductor de oxido metálico (MOSFET) Características y funcionamiento de rectificador controlado de silicio (SCR). Circuitos de disparo y aplicaciones del SCR con el transistor UJT (transistor de unión única). Características y funcionamiento del TRIAC (Tiristor de corrientealterna). Circuito de disparo y aplicaciones del TRIAC. Circuitos controladores de energía eléctrica mediante SCR y/o TRIAC. Características y funcionamiento del GTO. Características y funcionamiento del UJT. Otros dispositivos. Amplificador inversor y no inversor, seguidor de voltaje. Suma y resta de señales con amplificador operacional. Función diferencial e integral con Amplificador Operacional.(AO). Amplificador de instrumentación. Circuitos comparadores. Modulación por ancho de pulso. Convertidores A/D y D/A. Circuitos temporizadores con Amplificador Operacional y/o Timer. 555. Aplicaciones del Timer 555 y de Amplificador Operacional.
6- APRENDIZAJES REQUERIDOS • Física III ( inductancia y magnética )
7.-SUGERENCIAS DIDÁCTICAS. • • • • • • Hacer una programación de practicas delaboratorio. Realizar prácticas de laboratorio con simuladores y físicas. Fomentar la investigación documental y experimental. Trabajo en equipo. Realizar mesas redondas. Efectuar visitas industriales.
8).- SUGERENCIAS DE EVALUACIÓN • • • • • • • • Circuitos planteados en clase. Análisis grupal. Prototipos de circuitos . Investigaciones. Reportes escritos. Circuitos Electrónicos extra clase....
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