Electronica

ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓNICA ANÁLOGA parte II parte
Carlos Omar Ramos Linares Carlos Omar Ramos Linares
Ingeniero Electrónico Ingeniero Electrónico Magíster en Teleinformática Magíster en Teleinformática

Diapositiva No. 1

Ing. Carlos Omar Ramos L., M. Sc

ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

Evaluaciones para 2009-1

Electrónica y Laboratorio GrupoA: Lunes, miércoles y Jueves PRIMER PARCIAL – 19 de febrero SEGUNDO PARCIAL – 16 de abril TERCER PARCIAL – 21 de mayo Electrónica y Laboratorio Grupo B: Martes, jueves y viernes PRIMER PARCIAL – 20 de febrero SEGUNDO PARCIAL – 17 de abril TERCER PARCIAL – 22 de mayo Comunicaciones Análogas y Medios: Martes y viernes PRIMER PARCIAL – 20 de febrero SEGUNDO PARCIAL – 17 de abril TERCER PARCIAL – 22de mayo Optoelectrónica (tutorial): viernes PRIMER PARCIAL – 20 de febrero SEGUNDO PARCIAL – 17 de abril TERCER PARCIAL – 22 de mayo
Diapositiva No. 2
Ing. Carlos Omar Ramos L., M. Sc

1

ELECTRÓNICA ANÁLOGA CIRCUITOS CON DIODOS – Principio de semiconductores ELECTRÓ ANÁ

Principio de semiconductores
I II III IV

conductores

semiconductores

Los materiales son buenos conductores sitienen pocos electrones en la capa de valencia, y éstos tienden pasar más fácilmente a la capa de conducción (vía libre entre átomos).
V VI VII

VIII

aíslantes
Diapositiva No. 3

Nobles (neutros)
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ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

Ubicación de semiconductores Ubicació
semiconductores conductores aíslantes
Electronic Devices – Floyd Ing. Carlos OmarRamos L., M. Sc

Cuando se dopa el silicio con algunos átomos del grupo III se forma material tipo N. cuando se dopa con algunos átomos del grupo V se forma material tipo P.
Diapositiva No. 4

2

ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ Región agotamiento Región P Región N

Polarización del diodo Polarizació

La unión PN determina una barrera iónica que se comporta como aislante cuando sepolariza en inverso y como excelente conductor cuando se polariza en forma directa.
Barrera de Potencial
Electronic Devices – Floyd

N K

P

Forma comercial

K
símbolo

K = cátodo (–)
Diapositiva No. 5

Polarización directa

Polarización inversa
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ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

Presentación comercial de los diodos Presentació

ElectronicDevices – Floyd

JEDEC = Joint Electron Device Engineering Council EIA = Electronics Industries Alliance Diapositiva No. 6
Ing. Carlos Omar Ramos L., M. Sc

3

ELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

IF (mA ~ A)

al aline Zona ación iz polar ecta dir

1

Zona pola lineal ri direc zación ta

VR (Vx10) Zona lineal polarización inversa 4 (Región Zener)

VZ

IS 2 3 VT Zona no conducción (altaimpedancia) polarización inversa

VF (V/10)

IR (nA)
Diapositiva No. 7

Esta curva ha sido escalada para observar mejor su comportamiento en cada una de las cuatro regiones. Un diodo cualquiera establece un comportamiento general en estas regiones, pero se han diseñado diodos, con dopados especiales para que puedan trabajar en cada una de estas regiones.
Ing. Carlos Omar Ramos L., M. ScELECTRÓNICA ANÁLOGA ELECTRÓ ANÁ

Idealización del diodo Idealizació
ID

ID

1
VD VT Para este caso,la curva del diodo se toma de manera que el diodo no pasa por una región no lineal, sino que al llegar al voltaje umbral inicia conducción, elevado la corriente solicitada, se toma así cuando los voltajes de alimentación son pequeños y la resistencia del diodo pequeña respecto a la que secoloca en serie

2
VD VT = 0 Cuando los voltajes aplicados al diodo son altos y la resistencia muy pequeña respecto de la resistencia que se deja en serie, este modelo de curva es apropiado. Un ejemplo: si el voltaje aplicado al circuito de diodo es de 100V, no justifica hacer una resta de 0,7V, pues el valor resultante de 99,3V es muy cercano a los 100V

Diapositiva No. 8

Ing. Carlos...