Electronica












Introducción Teórica
El transistor es un dispositivo que experimenta variaciones de sus parámetros de acuerdo a las condiciones que es sometido, entre ellas la temperatura. Frente a esto es deseable lograr que el punto de trabajo se mantenga constante. Estas variaciones afectan el rendimiento del circuito, produciendo ciertos efectos, como distorsiones, en la señal desalida de la etapa, por lo cual es prudente considerarlas al momento del diseño. En este trabajo práctico veremos las variaciones más importantes como son la Icbo, el β y la Vbe.
Parte Práctica
El objetivo de esta práctica es analizar como varían la Corriente Inversa de Saturación, la Tensión Base Emisor y el Factor de Amplificación (β), frente a variaciones de Tensión y/o Temperatura.
Para ellorealizaremos los siguientes ensayos con transistores de silicio:
- Determinacion de la ICBO
- Determinacion de la ICEO
- Determinacion de la ICES
- Variacion de la VBE con la temperatura
- Variacion del β con la temperatura
Finalidad de la Práctica
Observar y medir la variación de Icbo, Vbe, y β con la temperatura. Se utilizara un transistor de Silicio.
Forma de transferir temperatura aldispositivo
Ante la imposibilidad de contar con una fuente regulada de temperatura, se hará lo siguiente: Se calentara el transistor por medio de un soldador y al cabo de unos minutos adquirirá una temperatura más o menos elevada y fija. Al aplicarlo al transistor le estaremos suministrando un flujo calórico que supondremos constante, lo cual significa que su temperatura variara linealmente en eltiempo debido al calor entregado. De este modo se puede hacer la correlación entre la variación del parámetro y el tiempo que permanece la resistencia calentando al transistor, entonces la temperatura será directamente proporcional al tiempo; por lo tanto se medirá el tiempo de exposición del elemento bajo estudio a la fuente de calor.


Determinación de Icbo
Vea la hoja de datos ¿Cuál es elorden de magnitud de Icbo? ¿Se puede medir Icbo? ¿Por qué? ¿Qué sensibilidad tiene el instrumento y cuál debería tener para poder medirla?
Lo que haremos en este primer ejercicio es medir la corriente inversa de colector-base con emisor abierto, conocida como Icbo, que es la corriente de portadores minoritarios en la juntura colector-base que se genera cuando la polarización es inversa. La Icboaumenta según aumente la temperatura ya que se generan más portadores minoritarios en la unión.
La importancia de la variación de Icbo está en que Ic=β.IB+(β+1).Icbo, de tal manera que Ic es una corriente pequeña comparada con Ib entonces el efecto en el circuito va a ser (β+1) veces más grande.
Para medir la Icbo realizamos el siguiente circuito con un transistor BC548.
Vcc = 2,2 V
RS = 1 MΩAl analizar este podemos darnos cuenta que la corriente que circula por la impedancia de entrada del voltímetro, aproximadamente 10 MΩ produce un drenaje de corriente, ya que las dos impedancias actúan como si estuvieran en paralelo.
De esta manera al tomar las mediciones estamos cometiendo un error del 10%.
Tomamos las mediciones correspondientes para calcular la Icbo y reemplazamos en laecuación.

Al tener un error del 10% se concluye que la Icbo es aproximadamente 1,65 µA. Pero al ver la hoja de datos del transistor vemos que el valor es mucho más pequeño (1nA) que el que calculamos. Esto puede deberse a la calidad de los instrumentos que usamos, a la tolerancia de las resistencias y otro tipo de factores que impiden la adecuada medición de valores tan pequeños como los de la Icbo.Determinación de Iceo
¿Cómo es el Iceo respecto a Icbo? ¿Cómo explica esto la teoría?
Para determinar la Iceo usamos el siguiente circuito con el mismo transistor
Vcc = 2,2 V
RS = 1 MΩ
Obtenemos con el multímetro los datos necesarios para calcular la Iceo y obtenemos como resultado lo siguiente:

Determinación de Ices
¿Cómo es el Ices respecto a Icbo? ¿Qué dice la teoría al respecto?...