Electronica

Unidad II Transistores y Tiristores
2.1 Transistor Bipolar
2.1.1 Tipos de transistores bipolares
Un transistor tiene 3 zonas de dopaje como se muestra en la siguiente figura la zona inferior sellama emisor, la zona central base y la zona superior colector. El transistor de la figura es un dispositivo npn por lo que en los materiales n los portadores mayoritarios son los electrones libresmientras que en los materiales tipo p son los huecos.

Los transistores también se construyen como dispositivos pnp.
2.1.2 NPN (2.1.4 Configuraciones)
Como se observa en la figura el nivel de dopajede la base es menor que el de el colector y el emisor.
Se puede decir que el transistor es similar a dos diodos contrapuestos uno denominado diodo emisor que es la unión del emisor con la base y elotro es el diodo colector que es la unión del colector con la base.
Se puede observar que el transistor tiene dos uniones por lo es fácil deducir que tiene dos zonas de deplexión y cada una de ellastiene una barrera de potencial.

Y dependiendo el material del transistor si es de silicio o germanio variara su barrera de potencial.
Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar altransistor, se obtienen corrientes a través de las diferentes partes del transistor.
La función del emisor es emitir o inyectar electrones libres a la base.
En el siguiente dibujo se ve eltransistor polarizado pero se observa solo la parte del emisor se aprecia una gran cantidad de signos negativos.
El propósito de la base es dejar pasar hacia el colector la mayor parte de los electronesinyectados por el emisor.
El propósito del colector es colectar o recoger la mayoría de los electrones provenientes de la base.

Existen varios métodos de polarizar un transistor pero la que da losmejores resultados es la de la figura anterior ya que la fuente VBB se encuentra en polarización directa con el diodo emisor y la fuente Vcc polariza inversamente.
En el siguiente dibujo se observa...