estamos csr

El SCR:

a) Estructura y circuito equivalente con dos transistores

A

A

A

P
N

N

N

P
G

P

P

P

G

N
K

G

N
K

K

A

En un transistor se tiene:IE1=IA
IB1=IC2

IE

T1(PNP)

IC
IB

IG

IC1

T2(NPN)

G

IB2

IC=IE+ICB0
IE=IC+IB

IE2=IK

K

T1: IB1=(1-1)IE1-ICB01

 IB=(1-)IE-ICB0

T2:

IC2= 2IE1+ICB02Pero: IB1=IC2

y además,

IE1=IA

IE2=IK

 (1-1)IA-ICB01= 2(IA+IG)+ICB02
A
IE1=IA

 IA=

IB1=IC2

T1(PNP)
IG

1- (1+ 2)

Se define G= 1+ 2
IC1

Como el lazo de ganancia.T2(NPN)

G

2IG+ICB01 +ICB02

IB2
IE2=IK

K

Si el tiristor está apagado y no hay
corriente de encendido (IG=0), los
i son muy pequeños. Por lo tanto,
IA= ICB01 +ICB02

Como los tienen la siguiente característica con IE:

1

Característica -IE en un transistor de silicio.

IE

Cuando G = 1+21, IA tiende a infinito y la corriente
anódica debe limitarse con elcircuito externo.

Se observa en la curva -IE anterior que un aumento de IE implica un
aumento de . En el caso del SCR, un aumento de IG puede producir un
aumento de IE2 (IK), lo que a su vezaumenta el valor de 2, produciéndose
una acción regenerativa (realimentación positiva). El SCR queda finalmente
conduciendo aunque se corte la corriente IG. Este es el mecanismo de
encendido máscomún para encender un SCR. Sin embargo, existen otros:
2) Aumento de la temperatura, ya que por cada 8°C de incremento, los ICBO
se duplican, pudiéndose producir el efecto regenerativo.
3) Aumento delvoltaje directo VAK. Hay un punto en el cual existe suficiente
energía para generar por choque más portadores, los que aumentan la
corriente de fuga, pudiendo producirse que G1.
4) Pendiente devariación de voltaje, dVAK/dt. Como existen capacidades
parásitas en las junturas, un SCR puede dispararse al aplicarle un escalón de
tensión. Para que esto no ocurra, debe respetarse el máximo...